热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶和氧化镍薄膜的方法.pdf
灵慧****89
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热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶和氧化镍薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶的方法,包含以下步骤:(1)将前驱体和掺杂元的混合溶液加热;(2)加热反应溶剂,并将步骤(1)的混合溶液热注入到反应溶剂中,在反应温度上保温后,得到氧化镍纳米晶溶液;(3)将步骤(2)得到氧化镍纳米晶溶液进行提纯,得到氧化镍纳米晶;本发明还公开了一种热注入法制备氧化镍薄膜的方法;本发明不需要复杂的体系,只需将适宜浓度的前驱体和掺杂元溶液在适宜温度注入反应溶液,萃取离心后即可得到提纯的纳米晶,旋涂、热处理和臭氧处理后可得到透明导电薄膜,操作简单、成本低,重复性高。
纳米氧化镍的制备方法.pdf
本发明公开一种纳米氧化镍的制备方法,包括以下步骤:(1)称取碳酸氢铵和六水合硝酸镍混合,溶于蒸馏水中,搅拌,用氨水溶液控制混合溶液的pH为9‑10,搅拌,得到溶液A;(2)将溶液A置于反应釜中,放入恒温干燥箱内在100‑120℃下老化,然后在80℃下反应3h,得到固液混合物B;(3)将固液混合物B过滤,洗涤滤渣,然后干燥,得到前体;(4)在氮气气氛下,将温度升温至400‑900℃,将步骤(3)得到的前体在马弗炉内煅烧5‑9h。本发明采用水热沉淀法,制备得到了多孔纳米氧化镍,比表面积和孔体积高,具有良好的催
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本发明涉及氧化镍薄膜领域,公开了一种纳米结构氧化镍薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤I:基片清洗;步骤II:基片加热,将基片放置在磁控溅射系统加热炉上,加热温度为400℃;步骤III:向真空室通入工作气体,并对溅射靶施加电压进行放电;步骤IV:沉积,沉积条件为基片温度700~800℃、氧分压0.1‑0.2Pa、放电功率100W、沉积时间3‑120min;步骤V:沉积结束后,基片冷却至室温。本发明制备出的NiO薄膜具有一定的网状纳米结构,可应用于催化和传感等领域,同时该薄膜具有较高的结晶质量,具有较低的缺陷
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本发明公开一种锂掺杂氧化镍薄膜的制备方法及OLED器件,所述制备方法首先取一块洗净的玻璃或者透明电极作为衬底,用紫外灯处理15min;将六水合硝酸镍和硝酸锂溶于有机溶剂A中,再加入有机助燃剂C,室温搅拌24h溶解均匀形成溶液B;其次将处理后的衬底置于氮气氛围的手套箱内,用移液枪吸取溶液B滴于衬底上,再用旋涂仪旋涂形成设定厚度的薄膜;然后将旋涂后的薄膜进行退火处理;最后待退火结束后温度降至室温时,按照设定时间用紫外灯照射退火后的薄膜进行氧化处理。本发明在低温条件下就能获得具有高电导率的纳米锂掺杂氧化镍薄膜,
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一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;然后配制碱性电解液,主要原料为KOH或NaOH碱金属,其浓度为5-300g/L;辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种,添加浓度为1-20g/L;将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中;将反应釜置于马弗炉中在120-250℃进行水热反应1-96小时,使得金属镍表面发生氧化反应;最后,将水热后的电极取出、清洗干净并干燥,即可获得基于原位生长制备氢