一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105469901A(43)申请公布日2016.04.06(21)申请号201510810004.0(51)Int.Cl.(2006.01)(22)申请日2015.11.20H01B13/00(71)申请人燕山大学地址066004河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号(72)发明人樊玉欠侯爵梁丹阳王慧娟余文婷郭壮闫帅李甄马志鹏刘宇邵光杰(74)专利代理机构石家庄一诚知识产权事务所13116代理人续京沙权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法(57)摘要一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法，其主要步骤包括：首先，将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；然后配制碱性电解液，主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5-300g/L；辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1-20g/L；将电解液放入反应釜中，同时将干净的镍基体浸入电解液中；将反应釜置于马弗炉中在120-250℃进行水热反应1-96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；最后，将水热后的电极取出、清洗干净并干燥，即可获得基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极。该制备方法工艺简单，原材料廉价，易于操作，生产价格低，所制备的薄膜材料厚度可控，活性高，适合工业化大生产。CN105469901ACN105469901A权利要求书1/1页1.一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；(2)配制碱性电解液：主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5-300g/L；辅助原料为光氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1-20g/L；(3)将电解液放入反应釜中，同时将步骤(1)的金属镍基体浸入电解液中；(4)将反应釜置于马弗炉中，在120-250℃进行水热反应1-96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；(5)将水热后的金属镍取出、清洗干净并干燥，即获得基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极。2.根据权利要求1所述的基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法，其特征在于：所述金属镍基体是指由纯镍组成的或者是表面沉积一层金属镍的基体，基体可以是平面或多孔结构。2CN105469901A说明书1/2页一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法技术领域[0001]本发明涉及一种电极材料的制备方法。背景技术[0002]作为具有高电化学活性的功能材料，氢氧化镍、氧化镍纳米材料在电化学储能(如锂离子电池，超级电容器)、电化学催化(如电化学析氧)、电化学传感器等方面具有重要的应用价值。近几年，氢氧化镍、氧化镍材料的开发与性能研究备受国内外科学家的关注，而开发价格低廉、易于操作、产品活性高、可产业化的材料制备方法成为关键问题，具有重大意义。[0003]在电化学应用领域，为了更好地发挥产品的活性，所制备的氢氧化镍、氧化镍一方面需要与导电基体之间保持良好的电子导电性，另一方面还需要保证产品良好的分散性(即要防止颗粒团聚)。对于常见报道的氢氧化镍、氧化镍粉体材料，其在电化学领域应用时，往往需要引入导电剂(石墨，乙炔黑等)和粘结剂(聚四氟乙烯等)以发挥其活性，从而使得电极制备工艺复杂化。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种制备方法简单、原材料廉价、易于操作、所制备的薄膜材料厚度可控、活性高、适合工业化大生产的基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法。[0005]本发明的技术方案具体如下：[0006](1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；所述金属镍基体是指由纯镍组成的或者是表面沉积一层金属镍的基体，基体可以是平面或多孔结构；[0007](2)配制碱性电解液：主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5-300g/L；辅助原料为光氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1-20g/L；[0008](3)将电解液放入反应釜中，同时将步骤(1)的金属镍基体浸入电解液中；[0009](4)将反应釜置于马弗炉中，在120-250℃进行水热反应1-96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；[0010](5)将水热后的金属镍取出、清洗干净并干燥，即获得基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极。[0011]本发明与现有技术相比具有如下优点：[0012]1、能够有效克服传统粉体材料制备电极时的复杂工艺，并有益于发挥材料的电化学活性。[0013]2、制备方法简单、原材料廉价，易于操作，生产成本低。[0014]3、所制备的薄膜材料厚度可控，活性高，适合工业化大