一种晶圆贴揭膜方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831850A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211480343.3(22)申请日2022.11.24(71)申请人安徽积芯微电子科技有限公司地址233000安徽省蚌埠市中国（安徽）自由贸易试验区蚌埠片区禹会区H2路电子信息产业园7号楼(72)发明人陈育锋李明芬梁志忠(74)专利代理机构南京聚匠知识产权代理有限公司32339专利代理师许松(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)B28D7/04(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称一种晶圆贴揭膜方法(57)摘要本发明公开了一种晶圆贴揭膜方法，利用静电的吸附原理特性，无需使用人工及压平器具以外力压迫抚平晶圆，可以使晶圆是在自然的环境中，由晶圆的圆周中心逐步向外平稳且逐步的摊平无需外力干预，所以晶圆的贴或揭膜的过程中晶圆的安全系数可以大大的提高；利用温度加热器的提高温度，促使晶圆结构稍微柔软，如此能降低晶圆应力的强度使其柔软，晶圆在静电吸附的抚平过程中，晶圆会更加的柔和与安全，避免晶圆破碎，还能够使有黏性的胶膜黏贴在晶圆上更加的牢固，并降低或减少黏性胶膜与晶圆之间的空气残留所形成的气泡，有效防止切割划片工序中出现飞片的问题。CN115831850ACN115831850A权利要求书1/1页1.一种晶圆贴揭膜方法，其特征在于，包括如下步骤：输入晶圆：将晶圆从晶圆储存盒中取出，运输至晶圆置放区；置放晶圆：将晶圆置放于工作盘中；固定晶圆：至少使用工作盘的真空产生单元和静电产生单元二者中的一个，对晶圆进行固定；黏粘/揭开黏胶膜：将黏胶膜贴在晶圆表面并沿晶圆的外周切割黏胶膜/将黏胶膜去除；解除固定：解除对晶圆的固定；输出晶圆：将晶圆取下。2.如权利要求1所述的一种晶圆贴揭膜方法，其特征在于，所述步骤二中固定晶圆的方法如下：启动工作盘的静电产生单元，抚平翘曲或卷曲的晶圆，当静电产生单元完成晶圆的抚平吸附后启动真空产生单元并关闭静电产生单元，以实现固定晶圆的目的。3.如权利要求1所述的一种晶圆贴揭膜方法，其特征在于，在所述步骤一中输入晶圆前，先启动温度加热器，以减小贴膜时晶圆与黏胶膜之间的气泡。4.如权利要求1所述的一种晶圆贴揭膜方法，其特征在于，所述步骤五中解除固定的方法为：关闭静电产生单元或真空产生单元。5.如权利要求1所述的一种晶圆贴揭膜方法，其特征在于，用于晶圆切割划片前贴膜作业时还包括如下步骤：扫描对位：进行半导体晶圆的坐标位置与方向的扫描与定位；置放片环：将片环置放于黏胶模上；所述扫描对位步骤在输入晶圆步骤之后、置放晶圆步骤之前进行；所述置放片环步骤在固定晶圆步骤之后、黏贴胶膜步骤之前进行。2CN115831850A说明书1/7页一种晶圆贴揭膜方法技术领域[0001]本发明涉及半导体晶圆生产领域，特别涉及一种晶圆贴揭膜方法。背景技术[0002]在传统的半导体封装工序中的晶圆减薄研磨(Wafergrinding)的最主要用意就是将晶圆厚度约在750um减薄研磨到封装体外型或产品特性要求所需要的晶圆厚度，如200um、150um、100um、75um、50um或是30um等，当完成研磨后并将晶圆从真空工夹具释放开来时，由于晶圆本身正面金属线路层和背面没有金属线路层的膨胀系数不同、晶圆正面金属线路层的层数、线路粗细搭配均匀性不同与金属线路间距均匀性不同、研磨减薄后的晶圆背面表面粗度的差异、研磨时的温度释放环境等等，使得应力的不均衡，导致晶圆完成磨片后出现的翘曲或卷曲的问题，尤其是晶圆减薄后的晶圆所剩余厚度，越薄则晶圆翘曲或卷曲的现象越明显(如图1所示)；[0003]晶圆减薄研磨后发生了晶圆翘曲或卷曲的情况下，会造成后续生产工序(晶圆撕膜、晶圆贴膜、晶圆切割)的过程中产生诸多的困绕甚至报废，如晶圆破碎、晶圆切割对位不准、芯片飞片、芯片隐裂、可靠性安全等；[0004]传统晶圆切割前的贴膜工艺技术过程中，晶圆的正面含金属线路层放置在真空贴膜设备的真空吸盘限位槽内(晶圆正面朝下晶圆背面朝上),进行晶圆的方向定位，利用有黏性的贴膜材料，黏合在晶圆背面无金属线路层的上表面,如此晶圆放置在晶圆限位槽内是需要依靠真空吸盘内的负压将晶圆牢牢的吸附，在正常晶圆贴膜的过程中如晶圆本身没有翘曲或卷曲，而放置在晶圆限位槽内对晶圆方向的对位及晶圆黏合的贴膜都没有问题(如图2和图3所示)；但在正常晶圆贴膜的时候晶圆已经发生翘曲或卷曲时，晶圆贴膜设备中，晶圆方向定位槽内的真空吸盘负压，会因为晶圆翘曲或卷曲而造成漏气无法凝聚负压的一定需求，俗称破真空(如图4中的晶圆在方向定位槽翘曲与破真空的现象示意图)；[0005]当晶圆定位槽与晶圆背面的贴膜产生了破真空负压泄露现象时,如果晶圆的