功率MOS器件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831863A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211503926.3(22)申请日2022.11.28(71)申请人杭州富芯半导体有限公司地址310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301(72)发明人陶余超(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219专利代理师贺妮妮(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称功率MOS器件及其制备方法(57)摘要本申请提供一种功率MOS器件及其制备方法。方法包括步骤：提供基底，于基底上形成层间介质层；于层间介质层上形成光刻胶层；图案化光刻胶层，以使层间介质层具备裸露区域；进行刻蚀以于层间介质层中形成接触孔；进行剥离工艺以去除残余的光刻胶层；对层间介质层进行回刻，得到预处理结构；对预处理结构进行清洁处理以去除残余的聚合物；进行浸置清洗；于接触孔中填充导电材料。本申请在制备功率MOS器件的过程中，在对层间介质层进行回刻后，在浸置清洗前追加去除聚合物的清洁步骤，可以有效避免聚合物残留，避免因聚合物将不同接触孔的导电材料互连而导致器件的RC延迟增大，从而可以有效避免器件产生VFSD拖尾和偏高等不良，可以显著提升器件性能。CN115831863ACN115831863A权利要求书1/1页1.一种功率MOS器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供基底(11)，于所述基底(11)上形成层间介质层(12)；于所述层间介质层(112)上形成光刻胶层(13)；图案化所述光刻胶层(13)，以使所述层间介质层(12)具备裸露区域；进行刻蚀以于所述层间介质层(12)中形成接触孔(14)；进行剥离工艺以去除残余的光刻胶层(13)；对所述层间介质层(12)进行回刻，得到预处理结构；对预处理结构进行清洁处理以去除残余的聚合物：进行浸置清洗；于所述接触孔(14)中填充导电材料(15)。2.根据权利要求1所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，对预处理结构进行清洁处理以去除残余的聚合物的方法包括进行等离子体处理和/或先进行灰化处理，再进行湿法剥离。3.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，等离子体处理包括步骤：先在腔体压力为80mT‑100mT，射频功率为1000W‑2000W，CF4气体流量为10sccm‑30sccm，CHF3气体流量为30sccm‑90sccm，氩气流量为450sccm‑750sccm的条件下对预处理结构处理20s‑50s；然后在腔体压力为45mT‑55mT，射频功率为300W‑500W，氩气流量为150sccm‑300sccm，氧气流量为20sccm‑80sccm的条件下对预处理结构处理10s‑30s。4.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，所述灰化处理为使用包含氧气和/或氮气的气体对所述预处理结构进行处理，处理过程中的射频功率为200W‑500W，处理时间为10s‑30s。5.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，湿法剥离去除残余的聚合物的过程中，先采用SPM溶液对预处理结构处理20分钟，之后采用APM溶液处理。6.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，对所述层间介质层(12)进行回刻的过程中，刻蚀腔体的压力为100mT，刻蚀功率为2000W，刻蚀气体包括20sscm的CF4、60sccm的CHF3和600sccm的氩气。7.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，浸置清洗的方法包括RCA标准清洗法。8.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，于所述接触孔(14)中填充导电材料(15)的方法包括物理气相沉积法，沉积的导电材料包括铜和/或铝。9.根据权利要求2所述的功率MOS器件的制备方法，其特征在于，所述层间介质层(12)的材质包括硼磷硅玻璃，形成所述层间介质层(12)的方法包括化学气相沉积法；所述基底(11)包括硅衬底及形成于所述硅衬底上的底部金属层，所述接触孔(14)与所述底部金属层相连接。10.一种功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件采用如权利要求1‑9任一项所述的制备方法制备而成。2CN115831863A说明书1/6页功率MOS器件及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种功率MOS器件及其制备方法。背景技术[0002]功率MOS(Metal‑Oxide‑Semiconductor，金属氧化物半导体)器件因具有开关速度快、损耗小、安全工作区域(SOA)宽、无二次击穿现象等优点，因而在消费类及通信类电子产品