芯片封装方法及封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831776A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211612938.X(22)申请日2022.12.15(71)申请人湖南越摩先进半导体有限公司地址412000湖南省株洲市株洲云龙示范区云龙大道1288号创客大厦四楼A151室(72)发明人熊湘锋(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师王士强(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称芯片封装方法及封装结构(57)摘要本发明属于半导体制造技术领域，公开了芯片封装方法及封装结构。该芯片封装方法包括步骤：S1、光刻，在玻璃片上光刻形成刻蚀区；S2、粘贴，在晶圆的引线管脚上粘贴UV膜；S3、连接，晶圆表面在设有感光区的一侧与玻璃片连接形成结合层，且使感光区和UV膜均与刻蚀区相对；S4、切割，将玻璃片位于引线管脚上方的部分切割去除，以使引线管脚外露；S5、划片，将结合层划片成独立的芯片单元；S6、去膜，将UV膜从引线管脚上去除；S7、接线，从引线管脚上引出金线，并使金线与基板电连接；S8、塑封，沿芯片单元外周涂覆塑封胶。通过本发明，降低芯片的封装难度；避免玻璃片发生倾斜，导致感光区的光路径偏移；避免污染金线和感光区，提升封装质量。CN115831776ACN115831776A权利要求书1/1页1.芯片封装方法，其特征在于，包括步骤：S1、光刻，在玻璃片上光刻形成刻蚀区；S2、粘贴，在晶圆的引线管脚(120)上粘贴UV膜(60)；S3、连接，所述晶圆表面在设有感光区(110)的一侧与所述玻璃片连接形成结合层，且使所述感光区(110)和所述UV膜(60)均与所述刻蚀区相对；S4、切割，将所述玻璃片位于所述引线管脚(120)上方的部分切割去除，以使所述引线管脚(120)外露；S5、划片，将所述结合层划片成独立的芯片单元(100)；S6、去膜，将所述UV膜(60)从所述引线管脚(120)上去除；S7、接线，从所述引线管脚(120)上引出金线(300)，并使所述金线(300)与基板(10)电连接；S8、塑封，沿所述芯片单元(100)外周涂覆塑封胶。2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S5还包括：S51、清理，对所述结合层划切面的残余毛刺进行清理。3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S8后还包括以下步骤：S9、植球，在所述基板(10)远离所述芯片单元(100)的一侧植球回流，形成微凸点。4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S9后还包括以下步骤：S10、电连接，通过所述微凸点使所述基板(10)焊接在PCB板(20)上。5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S4中通过激光切割或刀片划切进行切割。6.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S3通过范德华力使所述晶圆的表面与所述玻璃片压合连接形成结合层。7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤S3通过键合胶使所述晶圆的表面与所述玻璃片胶合连接形成结合层。8.封装结构，其特征在于，基于如权利要求1‑7任一项所述的芯片封装方法，包括：芯片单元(100)，所述芯片单元(100)上设有感光区(110)；玻璃载体(200)，所述玻璃载体(200)上设有连接凸台(210)和由所述连接凸台(210)围设形成的避让槽(220)，所述避让槽(220)与所述感光区(110)相对设置，所述连接凸台(210)与所述芯片单元(100)设有感光区(110)的一面连接；引线管脚(120)，设于所述芯片单元(100)的两端，所述引线管脚(120)通过金线(300)与所述基板(10)电连接；封胶部(400)，环设于所述玻璃载体(200)和所述芯片单元(100)的外周。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述连接凸台(210)通过压接或胶接与所述芯片单元(100)连接。10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述基板(10)远离所述芯片单元(100)的端面与PCB板(20)焊接。2CN115831776A说明书1/5页芯片封装方法及封装结构技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及芯片封装方法及封装结构。背景技术[0002]芯片封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。[0003]现有技术方案