寄生电感的抑制结构及方法、功率电路模块.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115842009A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211543480.7(22)申请日2022.12.02(71)申请人复旦大学地址200433上海市杨浦区邯郸路220号(72)发明人杨行健杜祎王梓杨张荣荣刘克富邱剑赵晖(74)专利代理机构上海正旦专利代理有限公司31200专利代理师陆飞陆尤(51)Int.Cl.H01L23/58(2006.01)H02M1/00(2007.01)H01L23/64(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称寄生电感的抑制结构及方法、功率电路模块(57)摘要本发明提供了一种寄生电感的抑制结构、一种功率电路模块，以及一种抑制寄生电感的方法。所述抑制结构包括：第一抑制片，由导电材料制成，覆盖功率电路的第一表面；第二抑制片，由导电材料制成，覆盖所述功率电路的第二表面，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向；以及至少一个解耦电容，其第一端连接所述第一抑制片，而其第二端连接所述第二抑制片，用于在所述功率电路运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路的工作电流反向的感应电流。CN115842009ACN115842009A权利要求书1/2页1.一种寄生电感的抑制结构，其特征在于，包括：第一抑制片，由导电材料制成，覆盖功率电路的第一表面；第二抑制片，由导电材料制成，覆盖所述功率电路的第二表面，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向；以及至少一个解耦电容，其第一端连接所述第一抑制片，而其第二端连接所述第二抑制片，用于在所述功率电路运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路的工作电流反向的感应电流。2.如权利要求1所述的抑制结构，其特征在于，所述抑制结构只包括一个所述解耦电容，其中，所述解耦电容的两端分别连接所述第一抑制片的第一端及所述第二抑制片的第一端，所述第一抑制片的第二端及所述第二抑制片的第二端保持分离，或者所述抑制结构包括多个所述解耦电容，其中，第一解耦电容的两端分别连接所述第一抑制片的第一端及所述第二抑制片的第一端，第二解耦电容的两端分别连接所述第一抑制片的第二端及所述第二抑制片的第二端。3.如权利要求1所述的抑制结构，其特征在于，所述功率电路包括至少一个功率电子管，其中，所述功率电子管沿横向设置，所述第一抑制片覆盖所述功率电路的上表面，所述第二抑制片覆盖所述功率电路的下表面，或者所述功率电子管沿纵向设置，所述第一抑制片覆盖所述功率电路的前表面，所述第二抑制片覆盖所述功率电路的后表面，或者所述功率电子管沿纵向设置，所述第一抑制片覆盖所述功率电路的左表面，所述第二抑制片覆盖所述功率电路的右表面。4.如权利要求3所述的抑制结构，其特征在于，覆盖所述功率电路的下表面的第二抑制片选用带有接地铜层的电路板，覆盖所述功率电路的上表面的第一抑制片选用铜箔，其中，所述功率电路的所述功率电子管被设置于所述电路板。5.如权利要求3所述的抑制结构，其特征在于，所述功率电子管以无引脚的堆叠形式设置于所述第一抑制片及所述第二抑制片之间。6.如权利要求1或5所述的抑制结构，其特征在于，所述第一抑制片和/或所述第二抑制片由柔性导电材料制成。7.如权利要求3所述的抑制结构，其特征在于，所述功率电路包括多个所述功率电子管，其中，各相邻功率电子管之间设有导电材料制成的电磁隔离片，所述电磁隔离片与所述第一抑制片及所述第二抑制片分别保持分离。8.如权利要求1所述的抑制结构，其特征在于，所述功率电路包括半桥电路、全桥电路、多相桥电路中的至少一者。9.一种功率电路模块，其特征在于，所述功率电路模块的第一表面覆盖有导电材料制成的第一抑制片，所述功率电路模块的第二表面覆盖有导电材料制成的第二抑制片，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路模块的相反方向，所述第一抑制片连接至少一个解耦电容的第一端，所述第二抑制片连接所述至少一个解耦电容的第二端，所述至少一个解耦电容在所述功率电路模块运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路模块的工作电流反向的感应电流。2CN115842009A权利要求书2/2页10.一种抑制寄生电感的方法，其特征在于，包括以下步骤：在功率电路的第一表面覆盖导电材料制成的第一抑制片；在所述功率电路的第二表面覆盖导电材料制成的第二抑制片，其中，所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向；以及将所述第一抑制片连接到至少一个解耦电容的第一端，并将所述第二抑制片连接到所述至少一个解耦电容的第二端，以利用所述至少一个解耦电容在所述功率电路模块运行时，从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路模块的工作电流反向的感应电流。3C