IGBT半桥模块寄生电感的研究与优化的开题报告.docx
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IGBT半桥模块寄生电感的研究与优化的开题报告.docx
IGBT半桥模块寄生电感的研究与优化的开题报告一、研究背景与意义IGBT半桥模块的应用领域相当广泛,比如电力、电动机驱动、航空、汽车等各个领域。模块内部存在寄生电感等因素会产生一些问题,比如在开关瞬间会产生高压浪涌,容易损坏器件,因此对于寄生电感的研究和优化相当必要。本研究旨在系统分析IGBT半桥模块的寄生电感产生机理,解决其对器件的影响,优化模块性能以提升系统可靠性。二、研究内容与方法1.研究IGBT半桥模块寄生电感产生机理。2.研究寄生电感对IGBT半桥模块性能的影响及损坏机制。3.分析现有的优化方法
一种IGBT半桥功率模块.pdf
本发明公开一种IGBT半桥功率模块,涉及半导体封装及功率模块领域,IGBT半桥功率模块包括铜底板、基板、半桥电路和负极主功率端子,半桥电路包括上桥电路和下桥电路;上桥电路包括上桥IGBT芯片以及与上桥IGBT芯片反并联的第一二极管单元;下桥电路包括下桥IGBT芯片以及与下桥IGBT芯片反并联的第二二极管单元,负极主功率端子、第二二极管单元和下桥IGBT芯片垂直并列设置于基板中部,负极主功率端子、第二二极管单元和下桥IGBT芯片构成的垂直区域两侧设置有上桥IGBT芯片和第一二极管单元。基于此本发明换流回路的
一种高压IGBT半桥模块.pdf
本发明公开了一种高压IGBT半桥模块,包括铜基板、上桥臂单元、下桥臂单元,所述上桥臂单元和所述下桥臂单元均包括DBC、IGBT单元、二极管单元,用于在实现电力电子开关的同时,采用双绞线驱动结构以避免在高压大功率环境下驱动IGBT芯片时产生振荡现象将驱动极击穿。本发明通过采用双绞线连接IGBT芯片的栅极与发射极形成环路面积较小的驱动回路,大大减小了驱动回路与外界干扰的耦合,避免在高压大功率环境下驱动IGBT芯片时产生振荡现象将驱动极击穿,增强了模块的抗干扰能力。另外,本发明对DBC结构进行了优化,底部铜层呈
IGBT半桥谐振逆变器的研究.docx
IGBT半桥谐振逆变器的研究IGBT半桥谐振逆变器的研究摘要:本论文研究了IGBT半桥谐振逆变器的原理、结构及其在电力系统中的应用。IGBT半桥谐振逆变器是一种高效、高性能的电力变换器,可用于多种应用,如交流驱动电机、电源线路调节、太阳能发电系统等。本文首先介绍了半桥谐振逆变器的基本结构和工作原理,并详细讨论了其控制策略、优点和缺点。然后,本文介绍了IGBT半桥谐振逆变器的拓扑结构、电路模型和控制算法,并通过仿真实验验证了其性能和有效性。最后,本论文总结了IGBT半桥谐振逆变器的优势和未来的应用方向,为相
冷却方式对IGBT模块寄生参数影响规律研究.docx
冷却方式对IGBT模块寄生参数影响规律研究冷却方式对IGBT模块寄生参数影响规律研究摘要:随着电力电子技术的发展,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)模块作为一种重要的功率电子器件,被广泛应用于各种工业领域。而IGBT模块的可靠性和性能受到其内部结构和工作温度的影响。因此,冷却方式对IGBT模块的寄生参数具有重要影响。本论文通过实验和分析,研究了不同冷却方式对IGBT模块寄生参数的影响规律,并得出相应的结论。引言:IGBT模块是一种重要的功率半导体器件,具有开关速度快、