

功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法.pdf
一条****涛k
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相关资料
功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法.pdf
本发明提供一种功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法,包括:被测的功率模块包括至少一个功率芯片,各功率芯片的电流流入极、电流流出极及控制极分别与信号端子一一对应连接;各功率芯片的电流流入极及电流流出极分别通过功率互连与至少一个功率端子连接;各功率互连与对应功率端子上的等效寄生电阻构成相应的封装寄生电阻;直流电流源,为功率模块提供测试电流;驱动模块为功率芯片提供驱动信号;各信号采样模块,分别获取功率芯片及各封装寄生电阻两端的电压。本发明通过一次测试可得到功率模块内部各段的等效电阻,测试效率大大提高
一种减小GaN HEMT功率模块封装寄生电感的DBC板布局方法.pdf
本发明涉及一种减小GaNHEMT功率模块封装寄生电感的DBC板布局方法,属于半导体封装技术领域,其中在DBC板上贴覆有电路设计布局的元器件,该元器件包括GaN芯片、MOS芯片、门极电阻及功率端子,DBC板上包括源极区、漏极区、门极区,GaN芯片、MOS芯片、门极电阻与DBC板之间通过锡膏回流焊接,GaN芯片、MOS芯片、门极电阻及功率端子之间留有的闲置空间为DBC板上的覆铜,本发明通过对DBC板的合理布局,通过改善DBC板表面覆铜的寄生电感,减小了因为GaN器件高频由于封装形式寄生过大而造成的损耗,实现
寄生电感的抑制结构及方法、功率电路模块.pdf
本发明提供了一种寄生电感的抑制结构、一种功率电路模块,以及一种抑制寄生电感的方法。所述抑制结构包括:第一抑制片,由导电材料制成,覆盖功率电路的第一表面;第二抑制片,由导电材料制成,覆盖所述功率电路的第二表面,其中,所述第一表面与所述第二表面位于所述功率电路的相反方向;以及至少一个解耦电容,其第一端连接所述第一抑制片,而其第二端连接所述第二抑制片,用于在所述功率电路运行时从所述第一抑制片及所述第二抑制片吸收与所述功率电路的工作电流反向的感应电流。
一种功率模块封装结构和封装方法.pdf
本发明涉及一种功率模块封装结构和封装方法,涉及电力电子技术领域。该功率模块包括:第一基板,第一基板上安装有多个芯片;多个钳位单元,钳位单元设置在第一基板上,且钳位单元与芯片一一对应设置,每个芯片与其对应钳位单元之间的距离均在预设范围内;封装层,位于第一基板上,且覆盖芯片和钳位单元。本发明对每个芯片都单独设置连接有钳位单元,提高芯片开关动作的同步性和工作稳定性。通过将钳位单元封装在功率模块内部,可以在更小空间的前提下提高芯片的使用寿命,提升芯片的安全性。
IGBT功率模块封装失效机理及监测方法综述.docx
IGBT功率模块封装失效机理及监测方法综述摘要:随着IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块在电力电子领域的广泛应用,其封装失效问题也日益引起人们的关注。本论文综述了IGBT功率模块封装失效的机理以及常用的监测方法。首先介绍了IGBT功率模块的结构和工作原理,然后详细阐述了封装失效的主要机理,包括热应力、热循环、湿度和电压应力等。接着介绍了常见的封装失效现象,如漏电流、接触电阻升高和封装层剥落等。最后,综述了常见的监测方法,包括热敏电阻、漏电流监测以及红外热像仪等。本论文旨在为IGBT功率模块封装失效的预防