薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110365306A(43)申请公布日2019.10.22(21)申请号201910817808.1(22)申请日2019.08.30(71)申请人迈感微电子（上海）有限公司地址201313上海市浦东新区万祥镇宏祥北路83弄1-42号20幢118室(72)发明人缪建民张瑞珍(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆(51)Int.Cl.H03H9/17(2006.01)H03H9/05(2006.01)H03H3/02(2006.01)H03H9/58(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法(57)摘要本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法，该薄膜体声波谐振器包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；形成在所述支撑结构上的自下而上排列的下电极、压电层和上电极。本发明实施例提供的技术方案，增加了薄膜体声波谐振器的机械牢固度，有效避免常规工艺牺牲层被灌入通孔的腐蚀液腐蚀不完全和腐蚀液清洗不干净的问题。CN110365306ACN110365306A权利要求书1/1页1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；形成在所述支撑结构上的自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构包括第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面设置凹槽；形成在所述第一晶圆上的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽，所述凹槽构成所述空气隙。3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述第一晶圆的第一表面方向上，所述空气隙的纵截面图形为多边形。4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层包括氮化铝压电层、氧化锌压电层以及锆钛酸铅压电陶瓷压电层中的任一一种。5.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的薄膜体声波谐振器。6.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：形成支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；在所述支撑结构上形成自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极。7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述支撑结构上形成自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极包括：通过淀积工艺在所述支撑结构上形成自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极。8.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，形成所述支撑结构包括：提供第一晶圆；在所述第一晶圆的第一表面形成凹槽；在所述第一晶圆的第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽，所述凹槽构成所述空气隙。9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽，所述凹槽构成所述空气隙包括：提供第二晶圆；在所述第二晶圆的第一表面形成第一绝缘层，在所述第二晶圆与所述第一表面相对的第二表面形成第二绝缘层；在所述第一晶圆的第一表面键合所述第二晶圆，所述第二晶圆的第一表面上的第一绝缘层覆盖所述凹槽；去掉所述第二晶圆以及所述第二晶圆第二表面上的第二绝缘层。10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述第二晶圆的第一表面形成第一绝缘层，在所述第二晶圆与所述第一表面相对的第二表面形成第二绝缘层包括：通过热氧化工艺，在所述第二晶圆的第一表面形成第一绝缘层，在所述第二晶圆与所述第一表面相对的第二表面形成第二绝缘层，所述第一绝缘层为第一氧化硅绝缘层，所述第二绝缘层为第二氧化硅绝缘层。2CN110365306A说明书1/6页薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法技术领域[0001]本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法。背景技术[0002]近年来，随着无线通信技术朝着高频率和高速度方向迅猛发展，以及电子元器件朝着微型化和低功耗的方向发展，基于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)的滤波器的研究与开发越来越受到人们的关注。[0003]目前的薄膜体声波谐振器，常常会因为其机械牢固度不够，以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用。发明内容[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法，以解决现有技术中薄膜体声波谐振器常常会因为其机械强度不够，以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用的技