荧光X射线分析装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115867793A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202080102888.3(51)Int.Cl.(22)申请日2020.07.14G01N23/223(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.09(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0273122020.07.14(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/013934JA2022.01.20(71)申请人株式会社岛津制作所地址日本京都府(72)发明人森久祐司(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇张文慧权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称荧光X射线分析装置(57)摘要本发明提供一种包括X射线源、检测器以及铁制的试样室并且试样室的内部表面的至少一部分被由源自熔融铝的铝构成的层包覆的荧光X射线分析装置、以及包括X射线源、检测器以及铁制的试样室并且试样室的内部表面的大致整个表面被由源自熔融铝的铝构成的层包覆的荧光X射线分析装置，该X射线源用于对试样照射X射线，该检测器用于检测通过X射线的照射而从试样放出的荧光X射线，该铁制的试样室用于收纳试样。CN115867793ACN115867793A权利要求书1/1页1.一种荧光X射线分析装置，包括：X射线源，其用于对试样照射X射线；检测器，其用于检测通过所述X射线的照射而从所述试样放出的荧光X射线；以及铁制的试样室，其用于收纳所述试样，其中，所述试样室的内部表面的至少一部分被由源自熔融铝的铝构成的层包覆。2.根据权利要求1所述的荧光X射线分析装置，其中，所述试样室的内部表面的大致整个表面被所述由源自熔融铝的铝构成的层包覆。3.根据权利要求1或2所述的荧光X射线分析装置，其中，在所述由源自熔融铝的铝构成的层上还具有包覆层，所述包覆层是用于使铝的荧光X射线衰减的层。4.根据权利要求3所述的荧光X射线分析装置，其中，所述包覆层是由碳构成的层。2CN115867793A说明书1/6页荧光X射线分析装置技术领域[0001]本发明涉及一种荧光X射线分析装置。背景技术[0002]荧光X射线分析装置通过对固体试样、粉末试样或液体试样照射初级X射线并检测由初级X射线激发而放出的荧光X射线，来进行该试样中含有的元素的定性或定量分析。现今，荧光X射线分析装置被广泛地用作有用的分析装置，其分析对象涉及金属领域至食品领域的多方面领域。[0003]图3是示出以往的一般荧光X射线分析装置的构成的概要图。荧光X射线分析装置101具备：试样室20，用于在其内部配置试样S；以及装置壳体60，在其内部配置有X射线源10和检测器30。[0004]试样室20具有四边形板状的试样基座21、以及具有四边形板状的上表面的方柱形状的上部腔室22。在试样基座21的中央部形成有圆形状的开口21a。以使上部腔室22的一个侧壁的下表面与试样基座21的上表面侧的一边成为轴的方式能够相对于试样基座21旋转地安装上部腔室22。而且，上部腔室22的内部与真空泵(未图示)连接，使得能够被真空泵排气为真空。根据这样的试样室20，能够通过打开上部腔室22来以试样S的分析面堵塞开口21a的方式配置试样S，能够在配置了试样S后关闭上部腔室22并将上部腔室22的内部排气为真空。[0005]装置壳体60是具有四边形板状的下表面的方柱形状，试样基座21的下表面侧的周缘部被安装在方柱形状的侧壁的上表面。而且，在装置壳体60的内部配置有X射线源10和检测器30。[0006]X射线源10例如为点聚集的X射线管，具有壳体，在壳体的内部配置有作为阳极的靶(未图示)和作为阴极的灯丝(未图示)。由此，通过对靶施加高电压并且对灯丝施加低电压，来使从灯丝放射出的热电子撞击靶的端面，由此射出在靶的端面产生的初级X射线。[0007]X射线源10被固定安装于试样基座21的开口21a的左下方，构成为使从X射线源10射出的初级X射线以入射角θ入射到开口21a中。因此，由于试样S的分析面以堵塞开口21a的方式抵接，由此试样S的分析面被初级X射线以入射角θ照射。[0008]检测器30例如具有形成有导入窗的壳体，在壳体的内部配置有检测荧光X射线的检测元件(半导体元件)。而且，检测器30被固定安装于试样基座21的开口21a的右下方，构成为使在试样S的分析面产生的荧光X射线入射到导入窗。因此，当试样S的分析面被初级X射线照射时，检测器30检测在试样S的分析面产生的荧光X射线。[0009]在X射线分析装置101中，为了降低使用者被透过了试样S的X射线辐射的风险，将试样S收纳于试样室20内。构成试样室20的试样基座21及上部腔室22由屏蔽材料形成。即，试样室20由屏蔽