一种半导体封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863192A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211666410.0(22)申请日2022.12.23(71)申请人吉光半导体（绍兴）有限公司地址312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号(72)发明人张坤(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师郑星(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/15(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种半导体封装结构及其制备方法(57)摘要本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构的制备方法通过在散热底板上形成阻焊层，使得在回流焊过程中使用阻焊层取代固定框治具对所述DBC基板进行定位和限位，可以无需设计和采购固定框治具，节省治具采购成本和维护成本；还取消了装配和拆卸固定框治具的步骤，提高了生产效率，极大程度降低了半导体封装结构的组装难度，节省了相应的设备和占用的场地，还有效降低了芯片、DBC基板外观不良导致的报废，提升了产品良率，从而提升了产品企业在行业内的竞争力。CN115863192ACN115863192A权利要求书1/2页1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一种散热底板，在所述散热底板上形成阻焊层，所述阻焊层在所述散热底板上围成至少一个DBC基板轮廓；在每个所述DBC基板轮廓中涂覆锡膏，并在所述DBC基板轮廓中置入一个所述DBC基板，还在每个所述DBC基板上放置至少一个芯片，所述DBC基板上涂覆有用于连接所述芯片的锡膏；以及通过回流焊工艺熔化锡膏，以将所述DBC基板和芯片连接，还将所述DBC基板和散热底板连接，从而形成半导体封装结构。2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述阻焊层的方法包括：将油墨通过丝网印刷至所述散热底板上，并经过UV曝光使得油墨固化于所述散热底板上，从而形成阻焊层，其中，所述阻焊层所用印刷丝的网目数为200目～300目，阻焊油墨厚度为10μm～30μm。3.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述DBC基板轮廓的形状与所述DBC基板的形状相同，且所述DBC基板轮廓和DBC基板之间存在间隙。4.如权利要求3所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述DBC基板轮廓和DBC基板之间的间隙为100μm～200μm。5.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，回流焊工艺之后，还包括：对所述半导体封装结构进行清洁处理。6.一种半导体封装结构，其特征在于，包括散热底板，所述散热底板上形成有阻焊层，所述阻焊层在所述散热底板上围成至少一个DBC基板轮廓，在所述散热底板的每个所述DBC基板轮廓中焊接有一DBC基板，在每个所述DBC基板上焊接有至少一个芯片。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻焊层包括至少四个第一图形结构，每四个所述第一图形结构在所述散热底板上围成一个DBC基板轮廓，所述第一图形结构用于对所述DBC基板的一角进行限位。8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻焊层还包括至少两个第二图形结构，所有所述第一图形结构和第二图形结构在所述散热底板上围成至少两个DBC基板轮廓，所述第二图形结构用于对相邻两个所述DBC基板的一角进行限位。9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热底板上具有一轴线，四个所述第一图形结构均匀分布在所述轴线的两侧，使得所述轴线的每侧具有两个所述第一图形结构，且每个所述第一图形结构均与所述轴线另一侧的一个所述第一图形结构正对设置，同侧设置的两个所述第一图形结构之间间隔设置有至少一个所述第二图形结构，以围成至少两个DBC基板轮廓。10.如权利要求7或8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻焊层还包括多个第三图形结构，所述第三图形结构位于相邻的两个所述第一图形结构之间、相邻的所述第一图形结构和第二图形结构之间、以及相邻的两个第二图形结构之间。11.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一图形结构呈字母L状，所述第二图形结构呈字母T状，所述第三图形结构呈一字型。2CN115863192A权利要求书2/2页12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一图形结构由第一部分和第二部分组成，所述第一部分和第二部分为相互垂直连接的直线段，在所述第一部分和第二部分的连接处具有第一保护角，所述第一保护角用于保护所述第一图形结构限位的所述DBC基板的一角。13.如权利要求11所述