一种封装胶膜及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115851163A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211658855.4H01L31/048(2014.01)(22)申请日2022.12.22(71)申请人苏州赛伍应用技术股份有限公司地址215200江苏省苏州市苏州吴江经济技术开发区叶港路369号(72)发明人王建琴杨同禄汪春罗文波陈洪野吴小平(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师陈小龙(51)Int.Cl.C09J7/30(2018.01)C09J7/10(2018.01)C09J123/08(2006.01)C09J11/06(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图1页(54)发明名称一种封装胶膜及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供一种封装胶膜及其制备方法和应用，所述封装胶膜的一侧表面设置有凹陷结构，所述封装胶膜的制备原料包括基体树脂、增粘树脂、主交联剂、助交联剂和偶联剂的组合；通过在所述封装胶膜靠近电池片的一侧表面设置凹陷结构，搭配预交联的制备工艺以及特定的制备原料，使得所述封装胶膜具有较低的质量，且对电池片具有较好的粘结性能和封装效果，且还具有防止焊带电池片滑移以及层压时焊带挤压走封装胶膜导致焊带与玻璃或背板接触而导致的失效问题。CN115851163ACN115851163A权利要求书1/2页1.一种封装胶膜，其特征在于，所述封装胶膜的一侧表面设置有凹陷结构；所述封装胶膜的制备原料按照重量份包括如下组分：基体树脂60～95重量份、增粘树脂5～40重量份、主交联剂0.4～1重量份、助交联剂0.6～1重量份和偶联剂0.2～0.8重量份。2.根据权利要求1所述的封装胶膜，其特征在于，所述封装胶膜的厚度为300～400μm；优选地，所述凹陷结构的深度为0.05～0.25mm；优选地，所述凹陷结构为矩形凹陷结构；优选地，所述矩形凹陷结构的长度为0.5～0.7mm；优选地，相邻两个所述凹陷结构之间的距离为0.5～0.7mm。3.根据权利要求1所述的封装胶膜，其特征在于，所述基体树脂选自EVA树脂或POE树脂；优选地，所述增粘树脂包括乙烯/丙烯酸酯共聚物、POE‑马来酸酐接枝物、乙烯/丙烯酸共聚物、乙烯/丙烯酸丁酯共聚物或POE‑丙烯酸缩水甘油酯接枝物中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述主交联剂包括过氧化2‑乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化二异丙苯和2,5‑二甲基‑2,5‑二(叔丁基过氧基)己烷或碳过氧酸‑O,O‑(1,1‑二甲基丙基)‑O‑(2‑乙基己基)酯中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述助交联剂包括三烯丙基异氰脲酸酯、三甲代烯丙基异氰酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1～3任一项所述的封装胶膜，其特征在于，所述偶联剂包括第一硅烷偶联剂和第二硅烷偶联剂的组合；优选地，所述封装胶膜的制备原料中第一硅烷偶联剂的含量为0.1～0.4重量份；优选地，所述封装胶膜的制备原料中第二硅烷偶联剂的含量为0.1～0.4重量份；优选地，所述第一硅烷偶联剂包括3‑甲基丙烯酰氧基丙基甲基三甲氧基硅烷、3‑缩水甘油丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3‑氨丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、三异硬脂酰基钛酸异丙酯、异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷、异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷或1,3,5‑三(三甲氧基硅丙基)异氰脲酸酯中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述第二硅烷偶联剂为硅烷低聚物；优选地，所述硅烷低聚物包括3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷低聚物和/或乙烯基三甲氧基硅烷低聚物。5.根据权利要求1～4任一项所述的封装胶膜，其特征在于，所述封装胶膜的制备原料中还包括增粘剂；优选地，所述封装胶膜的制备原料中增粘剂的含量为0.2～0.6重量份；优选地，所述增粘剂包括甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯多聚体、二苯基甲烷二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯多聚体、六亚甲基二异氰酸酯或六亚甲基二异氰酸酯多聚体中的任意一种或至少两种的组合。6.根据权利要求1～5任一项所述的封装胶膜，其特征在于，所述封装胶膜的制备原料2CN115851163A权利要求书2/2页还包括紫外线吸收剂和/或光稳定剂；优选地，所述封装胶膜的制备原料中紫外线吸收剂的含量为0.1～0.3重量份；优选地，所述封装胶膜的制备原料中光稳定剂的含量为0.1～0.5重量份；优选地，所述光稳定剂包括双(2,2,6,6‑四甲基‑4‑哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸(4‑羟基‑2,2,6,6‑四甲基‑1‑哌啶乙醇)酯或聚‑{[6‑