LDMOS器件及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863439A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202310175384.X(22)申请日2023.02.28(71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址510700广东省广州市黄埔区凤凰五路28号(72)发明人于绍欣(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师王南杰(51)Int.Cl.H01L29/78(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称LDMOS器件及其制作方法(57)摘要本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件包括基底、栅氧化层、多晶硅栅以及场板结构。其中，基底具有源区、漏区、沟道区以及漂移区。栅氧化层设置在基底上。多晶硅栅设置在栅氧化层上。场板结构设置在栅氧化层上。场板结构包括依次层叠设置的场板介质层、多晶硅层以及第一晶化层，场板介质层位于栅氧化层和多晶硅层之间，第一晶化层的材料为钴硅化合物。上述LDMOS器件形成多晶硅层以及第一晶化层作为上极板，形成场板电容，使漂移区进行耗尽，可以获得较低的Rsp以及Qgd。场板结构可以采用柱状的接触孔，能够大幅降低接触孔光刻、蚀刻的工艺难度，场板结构的横向尺寸也可以做得更大，从而能够增加场板的电容。CN115863439ACN115863439A权利要求书1/1页1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：基底，具有源区、漏区、沟道区以及漂移区，所述沟道区包围所述源区，所述漂移区包围所述漏区；栅氧化层，设置在所述基底上；多晶硅栅，设置在所述栅氧化层上，且位于所述源区和所述漏区之间；以及场板结构，设置在所述栅氧化层上，且与所述漏区位置对应，所述场板结构包括依次层叠设置的场板介质层、多晶硅层以及第一晶化层，所述场板介质层位于所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，所述第一晶化层的材料为钴硅化合物。2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一晶化层的阻值为5ohm/Sqr~8ohm/Sqr。3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一晶化层的厚度为200Å~400Å。4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述场板介质层的厚度为600Å~1500Å。5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为300Å~1000Å。6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述场板介质层包括层叠设置的第一硅氧化层、氮化硅层以及第二硅氧化层。征在于，所述LDMOS器件还包括：7.如权利要求1~6中任一项所述的LDMOS器件，其特层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅氧化层、所述多晶硅栅以及所述场板结构。8.如权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：场板接触孔，所述场板接触孔为自所述层间介质层远离所述基底的一端延伸至所述第一晶化层的柱状结构。9.如权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：金属层，所述金属层设置在所述层间介质层远离所述基底的一侧，并与所述场板接触孔连接。10.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底具有源区、漏区、沟道区以及漂移区，所述沟道区包围所述源区，所述漂移区包围所述漏区；在所述基底上制作栅氧化层；在所述栅氧化层上制作多晶硅栅，所述多晶硅栅位于所述源区和所述漏区之间；制作场板结构，包括在所述栅氧化层上制作场板介质层、在所述场板介质层上制作多晶硅层以及在所述多晶硅层上制作第一晶化层，所述第一晶化层的材料为钴硅化合物，所述场板结构与所述漏区位置对应。2CN115863439A说明书1/7页LDMOS器件及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种LDMOS器件及其制作方法。背景技术[0002]DMOS（双扩散金属氧化物半导体场效应管）器件是BCD电路中的核心器件，为了更好地与IC成熟制程进行工艺集成，一般采用LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体场效应管）。目前，各种结构的LDMOS器件被不断开发出来，以达到提高其性能、降低成本、提高密度等目的。[0003]DMOS（双扩散金属氧化物半导体场效应管）器件是BCD电路中的核心器件，为了更好地与IC成熟制程进行工艺集成，一般采用LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体场效应管）。目前，各种结构的LDMOS器件被不断开发出来，以达到提高其性能、降低成本、提高密度等目的。[0004]其中，场板结构是LDMOS器件的核心所在。为了达到耐压的要求，传统LDMOS器件普遍采用热生长的氧化层作为场板，具体是先定义出热生长氧化层的区域，然后进行热生长。