微型LED结构及其制备方法和发光装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863523A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211627639.3(22)申请日2022.12.16(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人符民张珂(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师宋家会(51)Int.Cl.H01L33/58(2010.01)H01L33/60(2010.01)H01L33/48(2010.01)H01L25/16(2023.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称微型LED结构及其制备方法和发光装置(57)摘要本申请提供一种微型LED结构及其制备方法和发光装置，涉及发光技术领域。微型LED结构包括发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片的表面设置有多个微透镜，所述微透镜通过阵列分布以形成微透镜阵列，所述发光芯片设有微透镜阵列的一侧为出光侧，所述驱动芯片与所述发光芯片远离所述出光侧的一侧连接。本申请提供的微型LED结构，能够改善光学能量发散，远距离显示时不清晰的现象。CN115863523ACN115863523A权利要求书1/2页1.一种微型LED结构，其特征在于，包括：发光芯片，所述发光芯片的表面设置有多个微透镜，所述微透镜通过阵列分布以形成微透镜阵列，所述发光芯片设有微透镜阵列的一侧为出光侧；驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片远离所述出光侧的一侧连接。2.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述发光芯片包括层叠设置的外延层和电极层，所述微透镜阵列设置于所述外延层上，所述电极层包括阳极和阴极，所述阳极和所述阴极均设置于所述外延层背离所述微透镜阵列的一侧。3.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述微型LED结构还包括消光层，所述消光层设有多个镂空，所述微透镜阵列穿设于所述镂空。4.根据权利要求3所述的微型LED结构，其特征在于，所述消光层的厚度小于所述微透镜阵列的厚度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的微型LED结构，其特征在于，所述微透镜呈柱状结构。6.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述出光侧设置有消光层，所述消光层设有多个镂空，所述微透镜阵列穿设于所述镂空；所述发光芯片包括依次层叠设置的外延层、电流扩展层、电极层、钝化层和键合层，所述微透镜阵列设置于所述外延层上，所述电流扩展层贴合于所述外延层背离所述微透镜阵列的一侧，所述电极层贴合于所述电流扩展层背离所述外延层的一侧，所述钝化层附着于所述外延层和所述电极层的表面，所述键合层穿过所述钝化层将所述电极层与所述驱动芯片连接；所述外延层包括依次层叠设置的第二半导体层、发光层和第三半导体层，所述第二半导体层的一侧与所述微透镜阵列贴合，另一侧设置有多个间隔设置的凸台，所述发光层和所述第三半导体层依次层叠设置于所述第二半导体层的凸台端面，以形成台阶结构，所述电极层包括阳极和阴极，所述阳极设置于所述台阶结构的台阶面上，所述阴极设置于所述第二半导体层边侧的凹陷面，所述电极层与所述外延层之间设置有所述电流扩展层。7.一种发光装置，其特征在于，包括：权利要求1‑6中任一项所述的微型LED结构。8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置为投影设备，所述投影设备包括：所述微型LED结构，通过发光单元产生图像光束；镜头，用于将所述图像光束进行投射以形成图像画面。9.一种微型LED结构的制备方法，其特征在于，包括：生成微型LED结构初始框架；在所述微型LED结构初始框架的基础上制备微透镜阵列。10.根据权利要求9所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述在所述微型LED结构初始框架的基础上制备微透镜阵列，包括：剥离所述微型LED结构初始框架中的衬底，以暴露所述微型LED结构初始框架中的第一半导体层；在所述第一半导体层的表面间隔沉积掩膜材料，形成掩膜矩阵，对所述第一半导体层未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀以获得微透镜阵列。2CN115863523A权利要求书2/2页11.根据权利要求9或10所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述微型LED结构的制备方法还包括：在微透镜阵列的表面涂布光阻材料并刻蚀得到消光层。12.根据权利要求9或10所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述微型LED结构的制备方法还包括：在第二半导体层涂布深色光阻材料，使深色光阻材料将所述微透镜阵列完全覆盖；对深色光阻材料进行曝光显影，露出所述微透镜阵列。3CN115863523A说明书1/9页微型LED结构及其制备方法和发光装置技术领域[0001]本申请涉及发光技术领域，尤其涉及一种微型