一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863389A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211640124.7(22)申请日2022.12.20(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址230012安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号(72)发明人陈冠中(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219专利代理师吴向青(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体芯片的加强结构，包括缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。通过本发明公开的一种半导体芯片的加强结构，能够保护半导体芯片的结构。CN115863389ACN115863389A权利要求书1/1页1.一种半导体芯片的加强结构，其特征在于，包括：缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，还包括缓冲切口，所述缓冲切口位于所述缓冲板的一侧，所述缓冲板呈等腰梯形的形状。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述应力槽呈正八边形的形状。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述外辅助槽呈等腰梯形的形状。5.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，当所述应力槽的数量为一个时，所述内辅助槽呈等腰直角三角形的形状。6.根据权利要求5所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，当所述应力槽的数量为一个，所述外辅助槽的数量为两个时，两个所述外辅助槽沿所述缓冲板的中心线对称设置。7.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，当所述应力槽的数量大于一个时，所述内辅助槽呈正方形的形状，多个所述应力槽相互配合，形成一个等腰直角三角形的形状。8.根据权利要求7所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述芯片本体的相邻的两条侧边分别表示为第一边与第二边，多个所述外辅助槽分别位于所述第一边的一侧与所述第二边的一侧。9.根据权利要求8所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述内辅助槽设于与所述第一边平行的相邻两个所述应力槽之间，和/或，所述内辅助槽设于与所述第二边平行的相邻两个所述应力槽之间。10.一种半导体芯片，其特征在于，包括：芯片本体，具有多条侧边；以及至少一个加强结构，所述加强结构设于所述芯片本体的相邻的两条侧边的连接处，所述加强结构包括：缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。2CN115863389A说明书1/5页一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片。背景技术[0002]在半导体芯片的制程工艺中，技术节点在进入更小纳米级后，后段制程工艺的金属线与金属线之间的介电层的材质会需要采用低介电常数的介质材料。[0003]然而，低介电常数的介质材料属于多孔洞材料，结构较为脆弱。当对半导体芯片进行切割时，半导体芯片的角落承受较大的应力，导致其结构容易被破坏。发明内容[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片，能够保护半导体芯片的结构。[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体芯片的加强结构，包括：[0006]缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；[0007]至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；[0008]多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及[0009]多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。[0010]在本发明一实施例中，加强结构还包括缓冲切口，所述缓冲切口设于所述缓冲板的一侧，所述缓冲板呈等腰梯形的形状。[0011]在本发明一实施例中，所述应力槽呈正八边形的形状。[0012]在本发明一实施例中，所述外辅助槽呈等腰梯形的形状。[0013]在本发明一实施例中，当所述应力槽的数量为一个时，所述内辅助槽呈等腰直角三角形的形状。[0014]在本发明一实施例中，当所述应力槽的数量为一个，所述外辅助槽的数量为两个时，两个所述外辅助槽沿所述缓冲板的中心线对称设置[0015]在本发明一实施例中，当所述应力槽的数量大于一个时，所述内辅助槽呈正方形的形状，多个所述应力槽相互