集成芯片及其形成方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881792A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202210991158.4H01L21/762(2006.01)(22)申请日2022.06.22H01L27/085(2006.01)(30)优先权数据63/257,1772021.10.19US17/672,3252022.02.15US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人张世邦吴浩昀张耀中蔡俊琳(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L29/423(2006.01)H01L29/417(2006.01)H01L29/778(2006.01)权利要求书2页说明书18页附图28页(54)发明名称集成芯片及其形成方法(57)摘要本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内并且围绕有源区的隔离区域。栅极结构设置在衬底上方并且具有基极区域和栅极延伸指状件，该栅极延伸指状件沿着第一方向从基极区域的侧壁向外突出超出有源区的相对侧。源极接触件设置在有源区内，并且漏极接触件设置在有源区内并且通过栅极延伸指状件与源极接触件分隔开。第一多个导电接触件布置在栅极结构上并且沿着第一方向分隔开。第一多个导电接触件在栅极延伸指状件上面分隔开距离。本发明的实施例还涉及形成集成芯片的方法。CN115881792ACN115881792A权利要求书1/2页1.一种集成芯片，包括：隔离区域，设置在衬底内并且围绕有源区；栅极结构，具有基极区域和栅极延伸指状件，所述栅极延伸指状件沿着第一方向从所述基极区域的侧壁向外突出到超出所述有源区的相对侧；源极接触件，设置在所述有源区内；漏极接触件，设置在所述有源区内并且通过所述栅极延伸指状件与所述源极接触件分隔开；以及第一多个导电接触件，布置在所述栅极结构上并且沿着所述第一方向分隔开，其中，所述第一多个导电接触件在所述栅极延伸指状件上面分隔开距离。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述衬底包括：基底衬底；第一III‑V族半导体材料，位于所述基底衬底上；以及第二III‑V族半导体材料，位于所述第一III‑V族半导体材料上。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述基极区域直接设置在所述隔离区域上方。4.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：栅极互连件，设置在所述栅极延伸指状件上方并且具有面向所述衬底的下表面，其中，所述下表面与位于所述栅极延伸指状件和所述基极区域上的所述第一多个导电接触件接触。5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述源极接触件包括多个离散的源极接触件段，所述多个离散的源极接触件段具有沿着所述第一方向分隔开一个或多个非零距离的侧壁。6.根据权利要求5所述的集成芯片，还包括：第二栅极延伸指状件，从所述基极区域的所述侧壁向外突出并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向与所述栅极延伸指状件分隔开，其中，所述第一多个导电接触件跨越所述第二栅极延伸指状件的大部分长度；以及第二源极接触件，设置在所述有源区内，其中，所述第二栅极延伸指状件在所述漏极接触件和所述第二源极接触件之间的所述有源区上方延伸。7.根据权利要求6所述的集成芯片，还包括：栅极互连件，在所述第二方向上在设置在所述栅极延伸指状件上的所述第一多个导电接触件的第一接触件和设置在所述第二栅极延伸指状件上的所述第一多个导电接触件的第二接触件之间延伸，其中，所述栅极互连件通过位于所述基极区域上的所述第一多个导电接触件的第三接触件耦接至所述栅极结构的所述基极区域。8.根据权利要求6所述的集成芯片，还包括：栅极互连件，包括：第一栅极互连段，在所述第二方向上在设置在所述栅极延伸指状件上的所述第一多个导电接触件的第一接触件和设置在所述第二栅极延伸指状件上的所述第一多个导电接触件的第二接触件之间连续延伸；第二栅极互连段，耦接至所述第一栅极互连段并且在所述第一方向上延伸；以及2CN115881792A权利要求书2/2页基极栅极互连段，耦接至所述第二栅极互连段并且耦接至设置在所述基极区域上的所述第一多个导电接触件的第三接触件。9.一种集成芯片，包括：隔离区域，设置在衬底内并且在所述衬底内限定有源区；栅极结构，具有基极区域和多个栅极延伸指状件，其中，所述多个栅极延伸指状件分别沿着第一方向从所述基极区域的侧壁向外突出以具有延伸超出所述有源区的相对边缘的长度；第一源极接触件和第二源极接触件，设置在所述有源区内并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向分隔开；漏极接触件，设置在所述第一源极接触件和所述第二源极接触件之间的所述有源区内，其中，所述漏极接触件通过所述多个栅极延伸指状件与所述第一源极接触件和所述第二源极接触件分隔开；以及多个导电接触件，沿着