一种HEMT器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881795A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211092714.0(22)申请日2022.09.07(71)申请人乂馆信息科技（上海）有限公司地址200080上海市虹口区海宁路137号7层E座735G室(72)发明人姜涛(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230专利代理师王丹(51)Int.Cl.H01L29/423(2006.01)H01L29/10(2006.01)H01L29/778(2006.01)H01L21/335(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图31页(54)发明名称一种HEMT器件(57)摘要本发明涉及一种HEMT器件，包括：二维电子气结构和至少一对对偶栅极，其中，所述二维电子气结构中形成有二维电子气沟道，所述至少一对对偶栅极位于所述二维电子气沟道的上方；所述对偶栅极采用自对准工艺形成，每对所述对偶栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极沿所述第一栅极和所述第二栅极的中心轴线呈镜像对称设置。该HEMT器件中设置至少一对对偶栅极，每对对偶栅极均包括两个栅极，等效于给栅极增加了冗余设计，当一个对偶栅极中的一个栅极失效时例如阈值电压发生漂移，另外一个栅极仍能正常工作，增加了HEMT器件的可靠性。CN115881795ACN115881795A权利要求书1/2页1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：二维电子气结构(1)和至少一对对偶栅极(2)，其中，所述二维电子气结构(1)中形成有二维电子气沟道，所述至少一对对偶栅极(2)位于所述二维电子气沟道的上方；所述对偶栅极(2)采用自对准工艺形成，每对所述对偶栅极(2)包括第一栅极(21)和第二栅极(22)，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)沿所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)的中心轴线呈镜像对称设置。2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述对偶栅极(2)位于所述二维电子气结构(1)的表面上。3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)，所述栅极金属层(3)包裹所述对偶栅极(2)且位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间。4.根据权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述栅极金属层(3)和所述对偶栅极(2)之间。5.根据权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述栅极金属层(3)和所述对偶栅极(2)中远离漏极的栅极之间。6.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)和绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述二维电子气结构(1)的表面且所述对偶栅极(2)贯穿所述绝缘介质层(4)，所述栅极金属层(3)位于所述对偶栅极(2)的顶部和所述绝缘介质层(4)上。7.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述对偶栅极(2)深入所述二维电子气结构(1)中且其底部位于所述二维电子气沟道上方。8.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)互联，且所述栅极金属层(3)位于互联的所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)上和所述二维电子气结构(1)上。9.根据权利要求8所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述对偶栅极(2)与所述二维电子气结构(1)之间。10.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)、缓冲绝缘介质层(41)和栅极绝缘介质层(42)，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)中靠近漏极的栅极与所述二维电子气结构(1)之间、所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间层叠设置所述缓冲绝缘介质层(41)和所述栅极绝缘介质(42)；所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)中远离漏极的栅极与所述二维电子气结构(1)之间设置所述栅极绝缘介质层(42)；所述栅极金属层(3)位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)上的所述栅极绝缘介质层(42)上且位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间的所述栅极绝缘介质层(42)上。11.根据权利要求2或7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括第一栅极金属层(31)和第二栅极金属层(32)，所述第一栅极金属层(31)位于所述第一栅极(21)上，所述第二栅极金属层(32)位于所述第二栅极(22)上。2CN115881795A权利要求书2/2页12.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)的材料均包括金属