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一种GaN HEMT器件的制备方法.pdf

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本发明实施例公开了一种GaNHEMT器件的制备方法,包括提供外延基底,外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层;采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层,形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽;在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极,同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极;在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层,在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极,金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。该方法能够精确控制刻蚀深度,改善欧姆接触区域的刻蚀形貌,提升欧姆接触质量,提升输出饱和电流,提升器件性能。