一种异构集成HEMT器件结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910932A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202111508939.5(22)申请日2021.12.10(71)申请人江苏柒捌玖电子科技有限公司地址224000江苏省盐城市建湖县经济开发区北京路电子信息产业园(72)发明人钱锋刘涛(51)Int.Cl.H01L23/04(2006.01)H01L23/32(2006.01)H01L29/778(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种异构集成HEMT器件结构(57)摘要本发明属于HEMT器件技术领域，尤其是一种异构集成HEMT器件结构，现提出如下方案，包括电路板、压紧球、器件主体、转动弯板和抵接块，所述电路板的顶端固定连接有防护板，所述防护板的内壁固定连接有带动所述压紧球与所述器件主体顶端紧密贴合的工作弹簧，所述压紧球与工作弹簧的连接部位固定连接有升降孔板，所述升降孔板的一端开设有用于带动所述转动弯板竖直旋转的升降孔槽，本发明通过设置抵接块，工作弹簧工作带动压紧球与器件主体的顶端相贴合，与此同时，工作弹簧工作通过升降孔板带动两组升降孔槽同步升降，以使得升降孔槽运动带动转动弯板转动，转动弯板通过伸缩孔槽带动抵接块与器件主体侧壁相贴合，实现对器件主体的限位操作。CN115910932ACN115910932A权利要求书1/1页1.一种异构集成HEMT器件结构，包括电路板(1)、压紧球(3)、器件主体(4)、转动弯板(7)和抵接块(9)，其特征在于：所述电路板(1)的顶端固定连接有防护板(2)，所述防护板(2)的内壁固定连接有带动所述压紧球(3)与所述器件主体(4)顶端紧密贴合的工作弹簧(5)，所述压紧球(3)与工作弹簧(5)的连接部位固定连接有升降孔板(6)，所述升降孔板(6)的一端开设有用于带动所述转动弯板(7)竖直旋转的升降孔槽(8)，所述转动弯板(7)的外壁设置有用于带动所述抵接块(9)与器件主体(4)侧壁紧密贴合的伸缩孔槽(10)，所述电路板(1)的上方位于防护板(2)的外壁开设有通风口(11)。2.根据权利要求1所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述电路板(1)的外壁贯穿有拨动杆(12)，且拨动杆(12)的一端位于电路板(1)的下方固定连接有与电路板(1)底端滑动连接的工作孔板(13)，所述工作孔板(13)的侧壁与电路板(1)的连接部位设置有夹紧弹簧(14)，所述工作孔板(13)的内壁活动连接有伸缩导柱(15)，且伸缩导柱(15)与工作孔板(13)的连接部位开设有伸缩斜槽(16)，所述伸缩导柱(15)的一端固定连接有与电路板(1)底端滑动连接的夹紧推杆(17)，且夹紧推杆(17)远离伸缩导柱(15)的一端延伸至电路板(1)的上方固定连接有与防护板(2)外壁相抵接的夹紧抵板(18)，所述夹紧抵板(18)与夹紧抵板(18)的连接部位设置有抵接底板(19)。3.根据权利要求1所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述压紧球(3)通过工作弹簧(5)与器件主体(4)之间构成升降结构，且器件主体(4)与压紧球(3)的连接部位设置有限位凹槽。4.根据权利要求1所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述转动弯板(7)设置有两组，且两组转动弯板(7)的位置分布关于升降孔板(6)相对称，所述转动弯板(7)通过升降孔板(6)和升降孔槽(8)与防护板(2)之间构成旋转结构。5.根据权利要求1所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述抵接块(9)通过转动弯板(7)和伸缩孔槽(10)与器件主体(4)之间构成伸缩结构，且转动弯板(7)的弯曲角度为90°。6.根据权利要求2所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述伸缩斜槽(16)设置有两组，且两组伸缩斜槽(16)的位置关系关于拨动杆(12)相对称。7.根据权利要求2所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述夹紧推杆(17)通过工作孔板(13)和伸缩斜槽(16)与防护板(2)之间构成伸缩结构，且伸缩斜槽(16)的倾斜角度为45°。2CN115910932A说明书1/4页一种异构集成HEMT器件结构技术领域[0001]本发明涉及HEMT器件技术领域，尤其涉及一种异构集成HEMT器件结构。背景技术[0002]HEMT，高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管、二维电子气场效应晶体管、选择掺杂异质结晶体管等，这种器件及其集成电路都能够工作于超高频、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的，HEMT是电压控制器件，HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，高迁移率的二维电子气存在于调制掺杂的异质结中，这种二维电子气不仅