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本发明公开了一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构,包括:由下至上依次设置的硅衬底、AlN成核层、背势垒电子阻挡层、应力调控层、GaN高阻层、GaN沟道层和势垒层;硅衬底包括:由下至上依次设置的第一子衬底、第二子衬底和第三子衬底;背势垒电子阻挡层为周期性外延的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN超晶格结构。本发明还提供一种低缓冲层漏电电流的HEMT器件。本发明通过第一子衬底与第二子衬底接触形成PN结,阻止硅衬底与AlN成核层界面形成反型电子层,从而阻止硅衬底的电子进入应力调控层,减少缓冲层漏电。同时,采用超晶格结构的背势垒电子阻挡层能够有效提高AlN/Si衬底界面与应力调控层之间的势垒,阻挡衬底电子注入应力调控层,降低了应力调控层漏电。