一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构及HEMT器件.pdf
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本发明公开了一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构,包括:由下至上依次设置的硅衬底、AlN成核层、背势垒电子阻挡层、应力调控层、GaN高阻层、GaN沟道层和势垒层;硅衬底包括:由下至上依次设置的第一子衬底、第二子衬底和第三子衬底;背势垒电子阻挡层为周期性外延的Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N/Al<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?y</base:Sub>N超晶格结构。本发明还提供一种低缓冲层漏电电流
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