衬底结构的制造方法以及衬底结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881620A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211626612.2(22)申请日2022.12.17(71)申请人上海鼎泰匠芯科技有限公司地址200135上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄13号5层(72)发明人王银帅凌晓宇(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师黄旭东(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称衬底结构的制造方法以及衬底结构(57)摘要本申请涉及一种衬底结构的制造方法以及衬底结构，衬底结构的制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成阻挡层；形成贯穿阻挡层的第一沟槽和位于衬底上且与第一沟槽连通的第二沟槽；在第二沟槽内形成介质隔离结构；其中，介质隔离结构还延伸至第一沟槽内；向介质隔离结构内注入具有预设能量和预设剂量的目标离子；采用刻蚀工艺去除阻挡层和第一沟槽内的部分介质隔离结构，以形成衬底结构。利用该衬底结构的制造方法，可减小介质隔离结构的上表层边缘处因受到刻蚀而出现凹坑或缺口。CN115881620ACN115881620A权利要求书1/2页1.一种衬底结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成阻挡层；形成贯穿所述阻挡层的第一沟槽和位于所述衬底上且与所述第一沟槽连通的第二沟槽；在所述第二沟槽内形成介质隔离结构；其中，所述介质隔离结构还延伸至所述第一沟槽内；向所述介质隔离结构内注入具有预设能量和预设剂量的目标离子，以使所述介质隔离结构的刻蚀速率减小；采用刻蚀工艺去除所述阻挡层和所述第一沟槽内的部分所述介质隔离结构，以形成所述衬底结构。2.根据权利要求1所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述预设能量为1KeV‑5KeV。3.根据权利要求1所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述预设剂量为1E13‑1E14atoms/cm2。4.根据权利要求1‑3任一项所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述向所述介质隔离结构内注入具有预设能量和预设剂量的目标离子之后，所述衬底结构的制造方法还包括：对所述介质隔离结构进行退火处理。5.根据权利要求4所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述对所述介质隔离结构进行退火处理具体包括：将所述介质隔离结构加热至900‑1100℃后保温预定时长；对所述介质隔离结构进行冷却处理。6.根据权利要求5所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述对所述预定时长为1‑2s。7.根据权利要求1‑3任一项所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽内形成介质隔离结构具体包括：向所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充介质隔离材料；对所述介质隔离材料背离所述第二沟槽的底壁的一侧进行平坦化处理，以使所述介质隔离材料背离所述第二沟槽的底壁的一侧与所述阻挡层的上表面平齐；刻蚀所述介质隔离材料，以形成所述介质隔离结构。8.根据权利要求1‑3任一项所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向，所述第一沟槽的径向尺寸和所述第二沟槽的径向尺寸均逐渐减小。9.根据权利要求1‑3任一项所述的衬底结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层包括层叠设置的氧化层和氮化层；所述在所述衬底上形成阻挡层具体包括：在所述衬底上形成氧化层；在所述氧化层上形成氮化层。10.一种衬底结构，其特征在于，所述衬底结构包括：衬底，所述衬底的上表层设有第二沟槽；以及2CN115881620A权利要求书2/2页介质隔离结构，填充于所述第二沟槽，且凸出于所述衬底的上表面；其中，所述介质隔离结构中注入有使所述介质隔离结构的刻蚀速率减小的目标离子。3CN115881620A说明书1/7页衬底结构的制造方法以及衬底结构技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及衬底结构的制造方法以及衬底结构。背景技术[0002]浅槽隔离(ShallowTrenchIsolation，STI)，简称STI，是利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅衬底后形成沟槽并在沟槽中填充淀积隔离介质100的技术。[0003]然而，在形成STI的相关技术中，需要刻蚀掉预先形成于衬底上的氮化硅和氧化硅层，在此刻蚀过程中，隔离介质100的上表层边缘处容易受到刻蚀而出现凹坑或缺口(如图1所示)，导致制作得到的半导体器件容易出现漏电现象。发明内容[0004]基于此，有必要针对隔离介质的上表层边缘处容易出现凹坑或缺口，导致制作得到的半导体器件容易出现漏电现象的问题，提供一种衬底结构的制造方法以及衬底结构。[0005]根据本申请的第一方面，提供了一种衬底结构的制造方法，包括：[0006]提供衬底；[0007]在所述衬底上形成阻挡层；[0008]形成贯穿所述阻挡