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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881556A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211677927.X(22)申请日2022.12.26(71)申请人成都复锦功率半导体技术发展有限公司地址610212四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号5栋15楼(72)发明人马磊(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223专利代理师张巨箭(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种芯片双面互连封装方法(57)摘要本发明公开了一种芯片双面互连封装方法,包括:在衬底上下两侧分别沉积绝缘介质,形成绝缘层;在衬底中制作第一通孔;在第一通孔中填入金属形成金属导电块,然后在衬底的下侧制作第一布线层;将第一芯片通过金属引线连接焊盘后,并制作形成第一塑封体;在衬底的上侧制作第二布线层;将第二芯片粘贴在右侧第二布线层上,进行第二次塑封,形成第二塑封体,塑封完成后在左右两端的第二布线层处进行开孔,并在第二通孔中制作第三布线层;在第二塑封体上方沉积介质层后分别对左右两端第三布线层和第二芯片焊盘处进行开孔,形成引脚金属。本发明形成的芯片双面互连结构,可以使双面互连封装产片实现小型化,同时芯片数量扩充性更高、集成度更好。CN115881556ACN115881556A权利要求书1/1页1.一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:S1、在衬底(1)上下两侧分别沉积绝缘介质,形成绝缘层(7);S2、在衬底(1)中制作第一通孔(11),第一通孔(11)贯穿包括绝缘层(7)在内的衬底(1);S3、在第一通孔(11)中填入金属形成金属导电块(12),然后在衬底(1)的下侧制作种子层,种子层制作完成后金属电镀形成金属条后去除多余的种子层,得到第一布线层(13);S4、将第一芯片(5)通过金属引线(51)连接焊盘后,并制作形成第一塑封体(2);S5、在衬底(1)的上侧制作种子层,种子层制作完成后金属电镀形成金属条后去除多余的种子层,得到第二布线层(14);S6、将第二芯片(6)粘贴在右侧第二布线层(14)上,同时进行第二次塑封,形成第二塑封体(3),塑封完成后在左右两端的第二布线层(14)处进行开孔,得到第二通孔(31),并在第二通孔(31)中制作连接金属,得到第三布线层(32);S7、在第二塑封体(3)上方沉积介质层(4)后分别对左右两端第三布线层(32)和第二芯片(6)焊盘处进行开孔,得到第三通孔(41);S8、在第三通孔(41)中填充金属,形成引脚金属(42)。2.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,与第二芯片(6)连接的第二布线层(14)的长度大于所述第二芯片(6)的长度。3.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述衬底(1)为硅衬底。4.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述导电块(12)为铜导电块。5.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述第一芯片(5)的正面通过引线(51)与第一布线层(13)连接。6.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述第一芯片(5)的背面与所述左侧的第一布线层(13)连接。7.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述第三布线层(32)包括铜柱。8.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述引脚金属(42)为铜引脚。9.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述方法还包括,在引脚金属(42)上制作焊盘(43)。10.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连封装方法,其特征在于,所述第二布线层(14)为金属条状。2CN115881556A说明书1/4页一种芯片双面互连封装方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片双面互连封装方法。背景技术[0002]传统的双面互连封装技术是芯片背面贴在引线框架上,芯片正面通过布线连接到相邻框架,使芯片正面与相邻引线框架芯片背面连通实现芯片互连,此方法能够实现在相邻两个芯片的平面互连,但芯片贴于引线框上,使得封装结构的整体厚度偏厚,不利于产品的薄型化,且很容易出现因引线框的变形而导致的产品变形,同时,引线框的面积限制了芯片的面积和数量。总之,传统芯片互连封装后的产品体积较大且芯片封装数量和面积受限于引线框架。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术中芯片双面互连技术芯片封装数量和面积受限于引线框的问题,提供了一种芯片双面互连封装方法。[0004]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:[0