一种双面散热的芯片封装结构及方法、装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111010801A(43)申请公布日2020.04.14(21)申请号201911391556.7H01L23/367(2006.01)(22)申请日2019.12.30H01L21/67(2006.01)(71)申请人安捷利（番禺）电子实业有限公司地址510000广东省广州市南沙区望江二街4号1201（A2）房(72)发明人邓明潘丽郑玉川齐伟(74)专利代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司44100代理人罗毅萍(51)Int.Cl.H05K1/18(2006.01)H05K1/02(2006.01)H05K3/32(2006.01)H05K3/30(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种双面散热的芯片封装结构及方法、装置(57)摘要本发明提供了一种双面散热的芯片封装方法，包括步骤：在介质板上预留芯片孔；将芯片放置至所述芯片孔内，并在所述介质板的上下两侧使用介质层和铜箔进行层压形成双面覆铜板；在所述双面覆铜板通过钻孔，孔镀铜以使得所述芯片的电极连接至所述双面覆铜板两面的铜箔；在所述铜箔上进行图形线路制作；在所述双面覆铜板两面的铜箔上通过导热胶设置散热装置进行散热。本发明还公开了一种封装装置以及通过上述封装方法或封装装置制作的封装结构，本发明可实现芯片线路板的双面散热，有效提升封装结构的功率密度，满足散热需求。CN111010801ACN111010801A权利要求书1/1页1.一种双面散热的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在介质板上预留芯片孔；S2、将芯片放置至所述芯片孔内，并在所述介质板的上下两侧使用介质层和铜箔进行层压形成双面覆铜板；S3、在所述双面覆铜板通过钻孔，孔镀铜以使得所述芯片的电极连接至所述双面覆铜板两面的铜箔；S4、在所述铜箔上进行图形线路制作；S5、在所述双面覆铜板两面的铜箔上通过导热胶设置散热装置进行散热。2.如权利要求1所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S5包括：S501、在所述铜箔上通过导电胶设置弹片电极，所述弹片电极与所述芯片的电极连接；S502、在所述铜箔上除所述导电胶外的位置上设置绝缘导热胶；S503、在所述绝缘导热胶上设置所述散热装置。3.如权利要求1所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S5包括：S511、在所述铜箔上通过导电胶设置弹片电极，所述弹片电极与所述芯片的电极连接；S512、对所述铜箔进行塑封并预留出散热面；S513、在所述散热面上通过导热胶设置所述散热装置。4.如权利要求2所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S502为：在所述铜箔上除所述导电胶外的位置上设置绝缘导热胶，并在所述绝缘导热胶上依次设置DBC陶瓷和绝缘导热胶。5.如权利要求1-4任一项所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述散热装置为水冷散热装置。6.如权利要求1所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述孔镀铜的方式为化学镀铜或电镀铜。7.如权利要求1所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述芯片孔的厚度比所述芯片的厚度大20微米，直径大30微米。8.如权利要求1所述的双面散热的芯片封装方法，其特征在于，所述介电层和介电板均为半固化片。9.一种双面散热的芯片封装装置，其特征在于，包括：芯片放置设备，用于将芯片放置至介质板上预留的芯片孔内；层压设备，用于在所述介质板的上下两侧使用介质层和铜箔进行层压形成双面覆铜板；线路制作设备，用于在所述铜箔上进行图形线路制作；散热设置设备，用于在所述双面覆铜板两面的铜箔上通过导热胶设置散热装置进行散热。10.一种双面散热的芯片封装结构，其特征在于，其是通过如权利要求1-8任一项所述的双面散热的芯片封装方法加工而成，或通过如权利要求9所述的双面散热的芯片封装装置加工而成。2CN111010801A说明书1/4页一种双面散热的芯片封装结构及方法、装置技术领域[0001]本发明属于线路板加工技术领域，具体涉及一种双面散热的芯片封装结构及方法、装置。背景技术[0002]随着电子产品功能化、智能化的发展，高集成度、薄型化、微型化已成主流趋势，印制电路板在满足电子产品良好的电、热性能的前提下，也必然的朝着薄型化，高密度，三维结构等的方向发展，从而满足现代电子产品微型化、高集成度的设计需求。这就意味着电路板封装设计必须满足如下要求：降低封装高度、提高封装密度。因此，埋芯片工艺成为一个重要的发展方向。所谓埋芯片工艺，就是在印制电路板的制作过程中，把芯片埋在介质层中，再通过金属化微孔，实现外部图形和内层芯片的导通互连。[0003]随着电动车的普及，大功率的功率芯片的到广泛应用，功率密度越来越