一种芯片互连封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115064488A(43)申请公布日2022.09.16(21)申请号202210990786.0(22)申请日2022.08.18(71)申请人成都复锦功率半导体技术发展有限公司地址610212四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号5栋15楼(72)发明人马磊(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223专利代理师吴桂芝(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/538(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图11页(54)发明名称一种芯片互连封装结构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种芯片互连封装结构及其制备方法，属于芯片封装技术领域，包括：在载板上分离贴装正反面颠倒的第一芯片、第二芯片；对两颗芯片进行第一次塑封；对第一塑封层两侧贯穿开孔，并对第一芯片的背面、第二芯片正面的第一焊盘处对应的第一塑封层开设盲孔；向第一通孔中填充导电块；对导电块、第一芯片的背面、第二芯片正面的第一焊盘进行互连；进行第二次塑封；去除载板；进行第三次塑封；对第三塑封层开孔，以引出引脚以及第三焊盘。本发明能够实现多芯片双面互连，且封装结构产品更加薄型化；通过导电块引出第三焊盘，实现了多芯片的一体化互连，芯片互连寄生电阻更小。CN115064488ACN115064488A权利要求书1/2页1.一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：在载板上分离贴装正反面颠倒的第一芯片、第二芯片，第一芯片的背面朝上，第二芯片的正面朝上；对第一芯片、第二芯片进行第一次塑封，形成第一塑封层；对第一塑封层两侧贯穿开孔，得到停留于载板表面的第一通孔；对第一塑封层中间部分开孔，得到停留在第一芯片的背面的第一盲孔以及停留在第二芯片正面的第一焊盘的第二盲孔；向第一通孔中填充导电块；对导电块、第一芯片的背面、第二芯片正面的第一焊盘进行互连，形成互连布线金属；在当前封装结构的表面进行第二次塑封，得到第二塑封层；去除载板；在当前封装结构的底面进行第三次塑封，得到第三塑封层；对第三塑封层开孔，得到露出导电块的第二通孔以及露出第一芯片正面的第二焊盘的第三通孔；从导电块、第一芯片正面的第二焊盘处依次引出芯片的引脚以及第三焊盘。2.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一塑封层高度大于第一芯片、第二芯片的厚度。3.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一芯片、第二芯片经临时键合胶贴装于载板表面。4.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：采用镭射工艺在第一塑封层两侧、第一芯片的背面、第二芯片的正面开孔。5.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述向第一通孔中填充导电块包括以下子步骤：在当前封装结构表面溅射第一种子层；采用第一光刻胶对第一种子层进行掩膜处理，露出第一通孔位置对应的第一种子层；在第一通孔位置对应的第一种子层上进行电镀处理；去除第一光刻胶以及第一通孔位置外多余的第一种子层。6.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述对导电块、第一芯片的背面、第二芯片正面的第一焊盘进行互连包括以下子步骤：在当前封装结构表面溅射第二种子层；采用第二光刻胶对第二种子层进行掩膜处理，露出导电块、第一芯片的背面以及第二芯片正面的第一焊盘位置处对应的第二种子层；在导电块、第一芯片的背面以及第二芯片正面的第一焊盘位置对应的第二种子层上进行电镀处理；去除第二光刻胶以及导电块、第一芯片的背面和第二芯片正面的第一焊盘位置外多余的第二种子层。7.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述第二塑封层包裹互连布线金属。8.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述去除载2CN115064488A权利要求书2/2页板后还包括：对当前封装结构进行翻转，并进行第三次塑封。9.根据权利要求1所述的一种芯片互连封装结构的制备方法，其特征在于：所述第三塑封层覆盖第一芯片、第二芯片以及导电块。10.一种芯片互连封装结构，其特征在于：采用权利要求1‑9任一项所述方法进行制备，包括正反面颠倒的第一芯片和第二芯片，第一芯片、第二芯片经第一塑封层进行塑封；第一塑封层两侧上开设有第一通孔，第一通孔中填充有导电块；第一塑封层上开设有停留在第一芯片的背面的第一盲孔；第一塑封层上开设有停留在第二芯片正面的第一焊盘的第二盲孔；第一塑封层上设有互连布线金属，用于互连导电块、第一芯片的背面、第二芯片正面的第一焊盘；互连布线金属上设有第二塑封层；远离第二塑封层的第一塑封层表面设有第三塑封层；第三塑封层开设有停留