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腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备.pdf
2023-06-06
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慧娇****文章
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本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间,包括:第一围挡部;自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部;自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部;第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间;过渡连接部上设置有第一收容结构,用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构,能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质,从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面,进而能够提高硅片的工艺良率,降低制作成本
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