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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113707523A(43)申请公布日2021.11.26(21)申请号202111005982.X(22)申请日2021.08.30(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人李进(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315代理人施敬勃(51)Int.Cl.H01J37/305(2006.01)H01J37/32(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称半导体工艺腔室(57)摘要本申请公开一种半导体工艺腔室,其包括腔体,所述腔体设有内腔,所述内腔设有顶部开口和侧部开口;内衬体,所述内衬体设置于所述内腔中,所述内衬的顶端与所述顶部开口连接,所述内衬体设有传片口,所述传片口与所述侧部开口相对设置;内门,所述内门包括门体和驱动组件,所述驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动,并选择性地控制所述门体嵌入所述传片口内或者避让所述传片口。上述技术方案能够解决目前工艺腔室内容易产生横向气流,对气体的流动均匀性产生不利影响,进而造成晶圆的刻蚀均匀性受到影响的问题。CN113707523ACN113707523A权利要求书1/2页1.一种半导体工艺腔室,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺腔室包括:腔体,所述腔体设有内腔,所述内腔设有顶部开口和侧部开口;内衬体,所述内衬体设置于所述内腔中,所述内衬的顶端与所述顶部开口连接,所述内衬体设有传片口,所述传片口与所述侧部开口相对设置;内门,所述内门包括门体和驱动组件,所述驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动,并选择性地控制所述门体嵌入所述传片口内或者避让所述传片口。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述驱动组件包括第一驱动组件和第二驱动组件,所述第一驱动组件和所述第二驱动组件的驱动端均与所述门体连接,所述第一驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动,所述第二驱动组件用于驱动所述门体沿所述侧部开口和所述传片口的分布方向运动。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述门体设有多个配合孔,所述配合孔垂直于所述腔体的轴向的截面为长条孔,且所述长条孔沿所述侧部开口和所述传片口的分布方向延伸,所述第一驱动组件的驱动端可沿所述长条孔的延伸方向移动,所述第二驱动组件的驱动端可在所述配合孔内沿所述长条孔的延伸方向移动以及沿所述腔体的轴向移动。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述第一驱动组件包括第一驱动轴和第一驱动部,所述第一驱动部驱动所述第一驱动轴沿所述腔体的轴向移动;所述第一驱动轴的驱动端伸入所述配合孔,所述第一驱动轴为圆柱状结构件,所述配合孔在所述腔体的轴向上的尺寸等于或大于所述第一驱动轴的直径的两倍。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述第一驱动轴的驱动端设有两个沿所述腔体的轴向间隔设置的限位凸台,两个所述限位凸台沿所述腔体的轴向分别限位设置于所述配合孔的相背两端。6.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述第一驱动组件还包括转接部,所述第一驱动轴的数量为至少两个,所述第一驱动轴的一端固定于所述转接部上,所述第一驱动轴另一端与所述配合孔配合,所述第一驱动部用于驱动所述转接部沿所述腔体的轴向移动。7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述第二驱动组件包括第二驱动部和第二驱动轴,所述第二驱动部设置于所述转接部上,所述第二驱动轴的驱动端伸入所述配合孔;在所述第一驱动部驱动所述门体沿所述腔体的轴向移动到位的情况下,所述第二驱动部驱动所述门体沿所述侧部开口和所述传片口的分布方向运动。8.根据权利要求3‑7任一项所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述第二驱动部的驱动端上设有第一斜面和第二斜面,所述第一斜面和所述第二斜面位于所述配合孔轴向的相背两侧,所述第一斜面和所述第二斜面分别朝向所述配合孔的延伸方向的相背两端,且所述第一斜面和所述第二斜面平行设置。9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述内衬体包括衬环壁和衬底壁,所述衬环壁的顶部与所述腔体连接,所述衬环壁的底部和所述衬底壁连接,所述衬环壁和所述衬底壁上均设有缺口,所述衬环壁和所述衬底壁上各自的所述缺口连通形成所述传片口;2CN113707523A权利要求书2/2页所述衬底壁上设有用于和基座配合的安装孔,所述衬底壁上设有周向分布的多个栅孔;所述门体包括封堵部,所述封堵部与所述传片口相适配,所述封堵部的底部设有栅孔。10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述门体还包括挡板,所述挡板固定于所述封堵部朝向侧部开口的一侧,且所述挡板延伸至所