

半导体工艺腔室.pdf
小沛****文章
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半导体工艺腔室.pdf
本申请公开一种半导体工艺腔室,其包括腔体,所述腔体设有内腔,所述内腔设有顶部开口和侧部开口;内衬体,所述内衬体设置于所述内腔中,所述内衬的顶端与所述顶部开口连接,所述内衬体设有传片口,所述传片口与所述侧部开口相对设置;内门,所述内门包括门体和驱动组件,所述驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动,并选择性地控制所述门体嵌入所述传片口内或者避让所述传片口。上述技术方案能够解决目前工艺腔室内容易产生横向气流,对气体的流动均匀性产生不利影响,进而造成晶圆的刻蚀均匀性受到影响的问题。
半导体工艺腔室及半导体工艺设备.pdf
本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备,半导体工艺腔室包括腔室本体、旋转升降组件和设置在腔室本体内的承载部件和加热组件,承载部件用于承载晶圆,加热组件位于承载部件下方,用于通过加热承载部件,以加热承载部件上的晶圆,旋转升降组件包括分别设置在腔室本体外内的磁发生部件和磁配合部件,磁发生部件用于在通电时产生磁场使磁配合部件磁化,向磁配合部件施加悬浮支撑力和旋转驱动力,磁配合部件与承载部件连接,用于在磁发生部件向其施加的悬浮支撑力和旋转驱动力的作用下悬浮并旋转,带动承载部件在腔室本体内悬浮并旋转。本发明提
半导体工艺腔室和半导体工艺设备.pdf
本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备,涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、用于产生等离子体的线圈、用于承载晶圆的基座和金属结构件,所述基座和所述金属结构件均设置于所述腔室本体内,所述金属结构件的至少部分与所述腔室本体的内壁相对设置,且所述金属结构件设置于所述基座用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方,所述金属结构件与所述基座电连接,以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体的内壁形成金属膜。该方案能够解决目前的半导体工艺腔室的产能较低的问题。
承载装置及半导体工艺腔室.pdf
本发明提供一种承载装置及半导体工艺腔室,其中,承载装置用于半导体工艺腔室支撑待加工件,承载装置包括多个相互间隔并连接的承载柱,各承载柱上均间隔设置有多个承载槽,且各承载柱上的承载槽一一对应设置,对应设置的所有承载槽用于共同承载待加工件,各承载柱上均设有通孔,通孔和承载槽一一对应设置,通孔和承载槽相连通,用于部分工艺气体通过通孔导流至承载槽内的待加工件的待加工面上。本发明提供的承载装置及半导体工艺腔室,能够降低承载柱对工艺气体的阻挡,提高工艺气体在待加工件的待加工面上的分布均匀性,从而提高工艺均匀性,提高工
半导体工艺设备及其工艺腔室.pdf
本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室。该工艺腔室的前法兰和后法兰分别设置在炉管的炉口和炉尾处;支撑机构设置于炉管内,支撑机构包括有两个支撑杆,支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟;两个第一电极机构分别套设于两个支撑杆的第一端,并且两个第一电极结构的极性相反,用于在第一晶舟装载于支撑杆上时,承载第一晶舟前端,并且分别与第一晶舟前端的两侧电连接,以将电极引入至第一晶舟;第二电极机构设置于炉管的炉尾处,用于在第二晶舟装载于支撑杆上时,将电极引入至第二晶舟。本申请实施例实现了避免第一电极结构随悬臂桨及炉门运