一种掩模制造用新型真空系统及上下料方法.pdf
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一种掩模制造用新型真空系统及上下料方法.pdf
本发明属于掩模制造领域,提供了一种掩模制造用新型真空系统,包括工艺腔体,工艺腔体内设置有工件台和机械手臂,工艺腔体外侧在进出料口处设置有上下料腔体,上下料腔体通过进出料口与工艺腔体连通,进出料口设置有电控内封闭门,上下料腔体设置有与外界连通的送料口并设置有电控外封闭门;工艺腔体和上下料腔体均设置有真空调节装置。本发明同时提供了这种真空系统的上下料方法。本发明提供的掩模制造用新型真空系统及上下料方法,在工艺腔体前上下料腔体,在工艺进行过程中完成上下料真空环境的转换,减少交互对工艺的影响,整体上缩短制造用时,
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本发明的目的在于,提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构:在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4),其中,图案形成用薄膜含有过渡金属,第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素,第2硬掩模膜含有过渡金属,第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少,主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小,第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地
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本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7),所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状,所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时,相比第1区域(D1)内的透过率,第2区域(D2)内的透过率高。
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本发明涉及掩模的制造方法、掩模及框架一体型掩模。本发明的掩模的制造方法包括以下步骤:(a)在金属片材的一面形成被图案化的第一绝缘部;(b)在金属片材的一面通过湿蚀刻形成预定深度的第一掩模图案;(c)至少在第一掩模图案内填充第二绝缘部;(d)通过烘焙使第二绝缘部的至少一部分挥发;(e)在第一绝缘部的上部进行曝光,并只残留位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部;以及(f)在金属片材的一面进行湿蚀刻,以形成从第一掩模图案贯穿金属片材的另一面的第二掩模图案。
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公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案,该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口;在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层;移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层,留下形成在光学开口中的掩模材料层;以及移除基构件。