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掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法.pdf
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本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地
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掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2),其特征在于,遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜,对ArF准分子激光的曝光光的折射率为1.6以上且2.1以下,消光系数为1.6以上且2.1以下,对900nm波长的光的消光系数为0.04以上,厚度为40nm以上且60nm以下。
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该技术涉及一种使用硬掩模的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括易于剥离并且能够以高的刻蚀选择性实现精细图案的硬掩模。根据本公开的实施例，一种制造半导体器件的方法包括：形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成硬掩模层，该硬掩模层包括第一硼掺杂硅层和在第一硼掺杂硅层上的第二硼掺杂硅层；并且将硬掩模层用作刻蚀阻挡层而对刻蚀目标层进行刻蚀，其中第二硼掺杂硅层具有比第一硼掺杂硅层更大的硼浓度。
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