掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115933308A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310002958.3(22)申请日2018.02.28(30)优先权数据2017-0510322017.03.16JP(62)分案原申请数据201880016943.X2018.02.28(71)申请人HOYA株式会社地址日本东京都(72)发明人谷口和丈宍户博明(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师韩锋(51)Int.Cl.G03F1/54(2012.01)G03F1/32(2012.01)权利要求书1页说明书16页附图4页(54)发明名称掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。CN115933308ACN115933308A权利要求书1/1页1.一种掩模坯料，在透光性基板上具备遮光膜，其特征在于，所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜，所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上，所述遮光膜的所述衰减系数k为2.6以下，所述遮光膜的所述折射率n为0.8以上，所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，所述遮光膜的除所述透光性基板侧的表层和与所述透光性基板相反的一侧的表层之外的区域的厚度方向上的氮含量的偏差为5原子％以内。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，在所述遮光膜上具备由含有铬的材料构成的硬质掩膜。4.一种转印用掩模，在透光性基板上具备具有转印图案的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜，所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上，所述遮光膜的所述衰减系数k为2.6以下，所述遮光膜的所述折射率n为0.8以上，所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。5.根据权利要求4所述的转印用掩模，其特征在于，所述遮光膜的除所述透光性基板侧的表层和与所述透光性基板相反的一侧的表层之外的区域的厚度方向上的氮含量的偏差为5原子％以内。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使用权利要求4或5所述的转印用掩模，对半导体基板上的抗蚀膜曝光转印转印图案的工序。2CN115933308A说明书1/16页掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法[0001]本申请是申请日为2018年2月28日，申请号为201880016943.X，发明名称为“掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法”的发明专利申请的分案申请。技术领域[0002]本发明涉及掩模坯料、使用该掩模坯料制造的转印用掩模及使用了转印用掩模的半导体器件的制造方法。背景技术[0003]一般而言，在半导体器件的制造工序中，采用光刻法进行微细图案的形成。另外，在该微细图案的形成中，通常使用多张转印用掩模。将半导体器件的图案进行微细化时，不仅需要形成于转印用掩模的掩模图案的微细化，还需要光刻中使用的曝光用光源的波长的短波长化。就半导体器件制造时使用曝光用光源而言，近年来从KrF准分子激光(波长248nm)向ArF准分子激光(波长193nm)的短波长化不断发展。[0004]转印用掩模中的一种是半色调型相移掩模。半色调型相移掩模的相移