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本发明涉及新材料技术领域,且公开了一种硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜的制备方法,先采用水热法制备ZnIn2S4纳米片薄膜,设备简单,可控性强;再采用电沉积法,在ZnIn2S4纳米片沉积PB纳米颗粒,形成ZnIn2S4/PB复合薄膜。依照本发明方法制备的硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜结合了ZnIn2S4和PB两种材料各自的特点和优势,两者之间形成异质结结构,可以有效抑制光生电子与空穴的复合,提升载流子的迁移速率,从而提升了半导体光阳极的PEC性能。