互连封装件、互连器件和制成光学通信的互连器件的方法.pdf
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相关资料
互连封装件、互连器件和制成光学通信的互连器件的方法.pdf
一种互连封装件,将光子管芯、电子管芯和开关ASIC集成至一个封装件中。电子管芯中的至少一些部件(诸如例如,串行器/解串器电路、收发器、时钟电路和/或控制电路)集成至开关ASIC以制成集成开关ASIC。光子管芯附接并电连接至集成开关ASIC。本发明还提供了一种互连器件和制成光学通信的互连器件的方法。
互连电路方法和器件.pdf
提供互连电路及其形成方法。一种方法可以包括将基板层压到导电层,随后将所述导电层图案化。该图案化操作形成各个导电部分,其也可称为迹线或导电岛。所述基板在图案化期间和之后相对于彼此支撑这些部分。在图案化之后,可将绝缘体层压到经图案化导电层的暴露表面。此时,导电层部分也由所述绝缘体支撑,并且所述基板可以例如与所述导电层的不需要部分一起被去除。如果所述基板被去除并且不是所述互连电路的一部分,则其可能在图案化期间被损坏。或者,保留所述基板作为电路的部件。这些方法允许使用新的图案化技术以及用于基板和/或绝缘体的新材料
MEMS器件3D封装互连钎料.pdf
本发明公开了一种用于MEMS器件3D封装互连钎料,属于MEMS互连钎料领域。该互连钎料的纳米Ag含量为0.01~4.0%,纳米Al含量为0.01~0.8%,纳米Zn颗粒含量为6~10%,Ni修饰碳纳米管为0.5~3.0%,其余为Sn。使用Sn颗粒、纳米Ag颗粒、纳米Al颗粒、纳米Zn颗粒,Ni修饰碳纳米管,预先将Sn和纳米Zn混合均匀,然后加热熔化,最后加入纳米Ag颗粒、纳米Al颗粒和Ni修饰碳纳米管,采用中频炉进行冶炼互连材料,钎料熔化中采用熔盐防止钎料氧化,然后浇铸成棒材,然后通过挤压、拉拔即得到所需
互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法.pdf
本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。根据本公开的一个实施例,一种互连结构包括:多个互连件的堆叠,其中,多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸,并且至少两层的下部互连件的上表面的一部分与至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。
电子器件与织品的互连方法和系统.pdf
一种电子织品系统及用于电子织品系统的对接组件。该系统包括织品衬底、被附接到织品衬底的输入装置以及被附接到织品衬底以能够移除地接纳控制器装置的对接组件。对接组件包括用于与控制器装置的第二电接口相配合的第一电接口。该系统包括被集成在织品衬底中的电传导通路网络,用于将输入装置与第一电接口电耦合。当控制器装置被对接组件接纳时,输入装置可以向控制器装置传输表示输入数据的电子信号。