晶体管结构、半导体结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881779A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310078603.2(22)申请日2023.02.08(71)申请人合肥新晶集成电路有限公司地址230012安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号(72)发明人胡少年谢荣源张德培(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师周婷婷(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/40(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称晶体管结构、半导体结构及其制备方法(57)摘要本申请涉及一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法。该晶体管结构包括体区及漂移区；以及源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述体区及所述漂移区上；所述栅极结构的两端分别延伸至所述源区上及所述漂移区上；以及场板，包括位于所述漂移区上的第一部分，以及位于所述栅极结构上的第二部分；其中，所述场板的所述第一部分包括梳齿结构。本申请提供的晶体管结构、半导体结构及其制备方法能够在形成具有较低导通电阻的电流传输通道的同时提升耐压性能，实现较高击穿电压与较低导通电阻的良好折中。CN115881779ACN115881779A权利要求书1/2页1.一种晶体管结构，其特征在于，包括体区及漂移区；以及源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述体区及所述漂移区上；所述栅极结构的两端分别延伸至所述源区上及所述漂移区上；以及场板，包括位于所述漂移区上的第一部分，以及位于所述栅极结构上的第二部分；其中，所述场板的所述第一部分包括梳齿结构。2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述场板的所述第二部分在所述体区及所述漂移区上的正投影位于所述栅极结构在所述体区及所述漂移区上的正投影内。3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，所述场板的所述第二部分远离所述第一部分的边界与所述栅极结构远离所述第一部分的边界之间具有间隔；所述间隔大于第一阈值且小于第二阈值。4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述场板的所述第一部分和所述第二部分为一体结构，且所述第一部分和所述第二部分的厚度相同。5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述场板的所述第一部分的厚度与所述栅极结构的厚度相同。6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶体管结构，其特征在于，还包括：浅沟槽隔离结构，位于所述漂移区内且位于所述漏区与所述栅极结构之间；所述场板的所述第一部分位于所述浅沟槽隔离结构上。7.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；所述衬底包括第一器件区域；以及如权利要求1至6中任一项所述的晶体管结构；其中，以所述第一器件区域的所述衬底作为所述晶体管结构中的所述体区及所述漂移区。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括第二器件区域；所述第二器件区域与所述第一器件区域间隔设置，所述第二器件区域内形成有闪存单元；所述闪存单元包括沿远离所述衬底的方向层叠的第一栅极和第二栅极；其中，所述栅极结构与所述第一栅极同层设置，所述场板与所述第二栅极同层设置。9.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括：提供体区及漂移区；于所述体区内形成源区；于所述漂移区内形成漏区；于所述体区及所述漂移区上形成栅极结构；所述栅极结构的两端分别延伸至所述源区上及所述漂移区上；形成部分覆盖所述漂移区及所述栅极结构的场板；所述场板位于所述漂移区上的部分为第一部分，所述场板位于所述栅极结构上的部分为第二部分；其中，所述场板的所述第一部分包括梳齿结构。10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：2CN115881779A权利要求书2/2页提供衬底；所述衬底包括第一器件区域；形成晶体管结构；所述晶体管结构采用如权利要求9所述的晶体管结构的制备方法制备而得；其中，以所述第一器件区域的所述衬底作为所述晶体管结构中的所述体区及所述漂移区。3CN115881779A说明书1/8页晶体管结构、半导体结构及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法。背景技术[0002]目前，横向扩散金属氧化物半导体晶体管（laterally‑diffusedmetal‑oxidesemiconductor，简称LDMOS）在集成电路设计与制造中有着重要地位，在高压功率集成电路中常采用LDMOS器件以满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，因此，LDMOS器件追求的目标是获得较高的击穿电压以及较低的导通电阻。[0003]然而，在LDMOS器件设计中，击穿电压