晶体管结构、半导体结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116033750A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310318809.8(22)申请日2023.03.29(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘翔(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师成亚婷(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/762(2006.01)H01L21/764(2006.01)权利要求书3页说明书13页附图11页(54)发明名称晶体管结构、半导体结构及其制备方法(57)摘要本公开涉及一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底和字线结构；衬底具有间隔分布且沿第一方向及第二方向阵列排布的多个有源组；有源组包括在第二方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱；第二方向与第一方向相交；字线结构包括与沿第一方向排列的任一列有源组对应设置的一个第一字线和两个第二字线；第一字线位于分隔槽内，两个第二字线分别位于对应半导体柱背离分隔槽的侧壁上；其中，第二字线和第一字线均沿第一方向延伸，且第二字线和第一字线在垂直于衬底的方向上错位设置。该半导体结构可以避免相邻两个字线之间的干扰，以减少器件在使用过程中的静态漏电。CN116033750ACN116033750A权利要求书1/3页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，具有间隔分布且沿第一方向及第二方向阵列排布的多个有源组；所述有源组包括在所述第二方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱；所述第二方向与所述第一方向相交；字线结构；所述字线结构包括与沿所述第一方向排列的任一列所述有源组对应设置的一个第一字线和两个第二字线；所述第一字线位于所述分隔槽内，两个所述第二字线分别位于对应所述半导体柱背离所述分隔槽的侧壁上；其中，所述第二字线和所述第一字线均沿所述第一方向延伸，且所述第二字线和所述第一字线在垂直于所述衬底的方向上错位设置。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：气隙结构，位于所述分隔槽内，并位于所述第一字线的上方，且与所述第二字线在所述第二方向上相对。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一字线的顶面平齐于所述第二字线的底面或低于所述第二字线的底面。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二字线的底面平齐于所述气隙结构的底面或高于所述气隙结构的底面；所述第二字线的顶面平齐于所述气隙结构的顶面或低于所述气隙结构的顶面。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：层间介质层，覆盖所述半导体柱垂直于所述第二方向的侧壁，且位于所述半导体柱和所述第一字线之间及所述半导体柱和所述第二字线之间。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一隔离结构，位于所述分隔槽内且封闭所述气隙结构；所述第一隔离结构用于定义所述气隙结构的顶面；第二隔离结构，位于相邻所述有源组之间的间隔内且覆盖位于所述间隔内的所述第二字线及所述层间介质层。7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多个电容单元，分别设置于对应所述半导体柱的上方。8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底内形成平行间隔排列且沿第一方向延伸的多个分隔槽，以得到多个中间结构；于所述分隔槽内形成第一字线；图形化所述中间结构，获得沿所述第一方向及第二方向阵列排布的多个有源组；所述有源组包括在第二方向上相对且通过所述分隔槽隔开的两个半导体柱；所述第二方向与所述第一方向相交；于所述半导体柱背离所述分隔槽的侧壁上形成第二字线；其中，所述第二字线和所述第一字线均沿所述第一方向延伸，且所述第二字线和所述第一字线在垂直于所述衬底的方向上错位设置。2CN116033750A权利要求书2/3页9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述图形化所述中间结构之前，所述制备方法还包括：于所述分隔槽中形成第一隔离结构，所述第一隔离结构用于定义气隙结构的顶面，所述气隙结构位于所述分隔槽内所述第一字线的上方；其中，所述第二字线还与所述气隙结构在所述第二方向上相对。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述分隔槽内形成第一字线之前，所述制备方法还包括：形成覆盖所述分隔槽内壁的第一层间介质层；其中，所述第一字线形成于所述第一层间介质层上并填充部分所述分隔槽；于所述分隔槽中形成第一隔离结构之前，所述制备方法还包括：形成至少覆盖所述第一字线顶面的第二层间介质层；其中，所述气隙结构形成