电容结构及其制备方法、半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115955913A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310104264.0(22)申请日2023.02.13(71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址510700广东省广州市黄埔区凤凰五路28号(72)发明人张加亮刘琳(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师高雪(51)Int.Cl.H10N97/00(2023.01)H01L23/64(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称电容结构及其制备方法、半导体结构(57)摘要本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。电容结构包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。本申请的电容结构的介质叠层的具备较高的介电常数值，电容密度得到提升，第一介质层的折射率与第三介质层的折射率均低于第二介质层的折射率，使得直接与电容上下极板接触的介质层的应力较低，解决了提升电容密度造成介质层应力增加的问题。CN115955913ACN115955913A权利要求书1/1页1.一种电容结构，其特征在于，包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第二介质层的折射率为所述第一介质层的折射率的1.1~1.2倍；所述第二介质层的折射率为所述第三介质层的折射率的1.1~1.2倍。3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层及所述第三介质层均包括氮化硅层。4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层与所述第三介质层的厚度均小于所述第二介质层的厚度。5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层与所述第三介质层的厚度之和与所述第二介质层的厚度相同。6.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：形成第一极板；于所述第一极板的表面形成介质叠层；其中，所述介质叠层包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；于所述第三介质层远离所述第一极板的表面形成第二极板。7.根据权利要求6所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一极板的表面形成介质叠层，包括：于所述第一极板的表面形成所述第一介质层；于所述第一介质层远离所述第一极板的表面形成所述第二介质层；于所述第二介质层远离所述第一介质层的表面形成所述第三介质层。8.根据权利要求7所述的电容结构的制备方法，其特征在于，通过控制形成所述介质叠层的过程中采用的射频功率和气体流量，使得所述第一介质层的应力与所述第三介质层的应力均小于所述第二介质层的应力。9.根据权利要求8所述的电容结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二介质层的过程中采用的射频功率为200W~450W，气体流量为100sccm~150sccm。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；如权利要求1至5中任一项所述的电容结构，位于所述衬底的表面。2CN115955913A说明书1/7页电容结构及其制备方法、半导体结构技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。背景技术[0002]随着半导体技术的发展，电容等在半导体器件中比较重要的元件受到了广泛关注，与电容器的电容密度提升等相关的技术也相应受到广泛关注。为了提升电容器的电容密度，通常通过提高介质层的介电常数来实现。[0003]然而提高介质层的介电常数来提升电容密度的方式又会造成介质层的应力增加，较大的应力问题会削弱介质层原有的绝缘、钝化效果，直接影响到半导体器件的性能。发明内容[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种电容结构及其制备方法、半导体结构。[0005]为了解决上述问题，第一方面，申请提供了一种电容结构，包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。[0006]本申请的电容结构，包括第一极板、介质叠层及第二