一种氮化镓器件及氮化镓封装结构.pdf
小沛****文章
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一种氮化镓器件及氮化镓封装结构.pdf
本发明公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构,涉及氮化镓领域,包括主封装箱,所述主封装箱的底面螺纹连接有支撑底块,所述主封装箱的两侧边对称焊接有固定侧板,所述固定侧板的一侧边螺栓连接有推动气缸,所述主封装箱的两侧边对称开设有侧卡槽,所述侧卡槽的内侧边卡接有活动推板,所述活动推板在远离固定侧板的一侧边水平焊接有延伸支杆,所述延伸支杆在远离活动推板的一端水平焊接有固定横杆,所述固定横杆的一侧边垂直焊接有底托板。本发明装置设计结构简单操作方便,在采用了热收缩的固定结构使得器件更加的稳定,同时在采用了双面热熔结构使
一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法,包括:步骤1:获取基座,并在所述基座的表面设置按照预设位置分布的焊点,得到基座层;步骤2:将氮化镓芯片利用第一结合材焊接在所述基座层,将散热片利用第二结合材焊接在所述氮化镓芯片上方,且将所述散热片的下端贴附在所述基座层;步骤3:对所述散热片和氮化镓芯片进行塑封,得到塑封层,得到氮化镓器件;步骤4:对所述氮化镓器件进行质检,得到满足质检要求的氮化镓器件;通过在氮化镓芯片的上方焊接散热片,避免了热量在所述氮化镓芯片的聚集,同时,通过对氮化镓器件进行质检,保证得
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件.pdf
本发明公开了一种用于制备氮化镓射频器件的衬底,包括硅晶片及位于硅晶片上方的碳化硅薄膜,碳化硅薄膜与硅晶片键合成一体。本发明进一步公开了一种上述衬底的制备方法,包括步骤:S1、对碳化硅晶片进行离子注入,形成碳化硅薄膜;S2、将硅晶片与碳化硅薄膜进行键合;S3、退火使碳化硅薄膜与碳化硅晶片之间形成的界面裂开,碳化硅晶片与碳化硅薄膜分离;S4、对碳化硅薄膜表面进行抛光。一种氮化镓射频器件,包括器件主体、氮化镓层及氮化镓化合半导体层,还包括上述的衬底,所述硅晶片、所述碳化硅薄膜、氮化镓层、氮化镓化合半导体层及器件
一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构.pdf
本发明公开了一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构,包括安装座、固定座和芯片板,安装座的底部贯穿固定座的顶部并延伸至固定座的内腔,固定座的内腔开设有与安装座的表面适配的安装槽,安装座的内腔与芯片板的表面活动连接,本发明涉及芯片封装结构技术领域。该全彩氮化镓基芯片立式封装结构,在对芯片板进行安装时,将芯片板和固定架均插接进安装座内,然后在固定架与安装座之间的缝隙里填充封装胶,将固定架和安装座之间胶合住,然后将支撑架套设在芯片板表面,将支撑架插接进支撑槽内,通过支撑架对芯片板进行支撑限位,可以快速对芯片板进行封装,
一种氮化镓系发光器件.pdf
本发明公开了一种氮化镓系发光器件,包括衬底;成核层;n型III族氮化物层;多量子阱有源区;最后一个量子垒层;类电子阻挡层;p型III族氮化物层;n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN?LQB/AlGaN?EBL结构(界面存在正的净极化电荷),或极化匹配GaN?LQB/AIInGaN?EBL结构(界面净极化电荷为零),能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果,从而提高LED发光效率,并减少大注入电流下的发光效率衰减。