半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法.pdf
明轩****la
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半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法.pdf
本发明的半导体复合装置(1)具备构成为与多个通道对应且构成稳压器的有源元件(10)和无源元件(20)、被供给由上述稳压器调整后的直流电压的负载(30)、以及与有源元件(10)、无源元件(20)及负载(30)电连接的布线基板(40)。配置于通道的多个电容器(例如,输出电容器(C1)和(C2))包含电容器阵列(50),该电容器阵列(50)包含平面配置的多个电容器部且一体成型。电容器阵列(50)具有在相对于布线基板(40)的安装面垂直的方向上贯通电容器阵列(50)的多个通孔导体(TH1)和(TH2)。从布线基板
半导体装置以及制造半导体装置的方法.pdf
半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中,一种半导体装置包括具有引线的衬底,引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件,引线偏移件在引线阶梯之间延伸,使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧,且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧,且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。
半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf
本公开所涉及的半导体装置具备:主部,其具有半导体基板、设置在半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在第1包覆层之上的活性层、设置在活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层,并形成有平坦部和包括活性层的台面部;和第1埋入层,其为第2型且覆盖平坦部的上表面和台面部的侧面,第1埋入层在平坦部的上表面中的在距台面部与平坦部的边界为台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部。
半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有:n型氧化镓半导体层,具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域;电极层,层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结;以及第一p型氧化镍半导体层,以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。
半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf
在高浓度的锑掺杂的n型半导体基板(n型阴极层(1))的上表面形成成为n-型漂移层(2)的n型外延层(10)。在n-型漂移层(2)的表面形成p型阳极层(3)。在n型阴极层(1)的下表面以与n型阴极层(1)的杂质浓度相同程度或者为n型阴极层(1)的杂质浓度以上的杂质浓度形成n型接触层(4)。以与该n型接触层(4)接触的方式形成阴极电极(6)。在该n型接触层(4)掺杂磷,并且通过500℃以下的低温热处理使得在没有完全再结晶化的状态下使晶格缺陷残留。由此,在二极管或者MOSFET等中,能够使晶片的裂痕为最小限度,