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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf
2023-05-26
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山柳****魔王
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本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
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本公开所涉及的半导体装置具备:主部,其具有半导体基板、设置在半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在第1包覆层之上的活性层、设置在活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层,并形成有平坦部和包括活性层的台面部;和第1埋入层,其为第2型且覆盖平坦部的上表面和台面部的侧面,第1埋入层在平坦部的上表面中的在距台面部与平坦部的边界为台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部。
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