半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115602703A(43)申请公布日2023.01.13(21)申请号202210765593.5(22)申请日2022.06.30(30)优先权数据2021-1142312021.07.09JP2022-0132612022.01.31JP(71)申请人丰田自动车株式会社地址日本爱知县(72)发明人旦野克典庄司哲也(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司11038专利代理师程晨(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/872(2006.01)H01L21/34(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图7页(54)发明名称半导体装置以及半导体装置的制造方法(57)摘要本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有：n型氧化镓半导体层，具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域；电极层，层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结；以及第一p型氧化镍半导体层，以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。CN115602703ACN115602703A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，具有：n型氧化镓半导体层，具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域；电极层，层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结；以及第一p型氧化镍半导体层，以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述周边区域中的施主密度是5.0×1015cm‑3以下。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述中央区域中的施主密度是1.0×1016cm‑3以上。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，在从层叠方向观察时，所述第一p型氧化镍半导体层跨越所述中央区域和所述周边区域地配置。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，在将所述n型氧化镓半导体层的所述中央区域的厚度设为t、并且将所述第一p型氧化镍半导体层中的处于所述中央区域的部分的宽度设为x时，x/t>0.50。6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其中，施主是Sn或者Si。7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述周边区域通过被掺杂受主，从而施主密度比所述中央区域低。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述受主是N或者Mg。9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置，其中，在所述n型氧化镓半导体层的层叠了所述第一p型氧化镍半导体层的一侧的所述周边区域中，在从所述中央区域朝向所述周边区域的方向上相互隔开间隔地具有多个第二p型氧化镍半导体层。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述n型氧化镓半导体层在层叠了所述第一p型氧化镍半导体层以及多个所述第二p型氧化镍半导体层的一侧具有多个沟槽构造，所述第一p型氧化镍半导体层以及多个所述第二p型氧化镍半导体层分别层叠于所述沟槽构造的凹部内。11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是pn二极管、JBS二极管、金属氧化膜半导体场效应晶体管或者结型场效应晶体管。12.一种权利要求1～11中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，包括用离子照射或者氧气氛下的加热使所述施主密度降低，从而形成所述n型氧化镓半导体层的所述周边区域。13.根据权利要求12所述的方法，其中，2CN115602703A权利要求书2/2页在所述离子照射中，照射受主元素、氢或者氦的离子。14.根据权利要求12或者13所述的方法，其中，在所述离子照射之后，进行所述n型氧化镓半导体层的退火处理。15.根据权利要求12或者13所述的方法，其中，在所述离子照射之后，不进行所述n型氧化镓半导体层的退火处理。3CN115602703A说明书1/10页半导体装置以及半导体装置的制造方法技术领域[0001]本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。背景技术[0002]日本特开2016‑81981公开一种半导体装置，由半导体SiC构成，在有源(active)区域的周围具有终止(termination)区域，所述终止区域的表面上被钝化膜覆盖，其特征在于，所述钝化膜具备：第一氧化硅膜，与所述终止区域的表面相接；第二氧化硅膜，层叠于所述第一氧化硅膜上，与所述第一氧化