半导体装置以及制造半导体装置的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115394739A(43)申请公布日2022.11.25(21)申请号202210548070.5(22)申请日2022.05.18(30)优先权数据17/328,8612021.05.24US(71)申请人安靠科技新加坡控股私人有限公司地址新加坡市(72)发明人贝俊明邱黄俊李胜吴(74)专利代理机构北京寰华知识产权代理有限公司11408专利代理师何尤玉郭仁建(51)Int.Cl.H01L23/49(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书4页说明书13页附图26页(54)发明名称半导体装置以及制造半导体装置的方法(57)摘要半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。CN115394739ACN115394739A权利要求书1/4页1.一种半导体装置，其特征在于，包含：衬底，其包含引线，所述引线包含：引线端子；引线阶梯；以及引线偏移件，其在所述引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯位于不同平面上；第一电子组件，其耦合到第一引线阶梯侧，所述第一电子组件包含：第一电子组件第一侧；以及第一电子组件第二侧，其与所述第一电子组件第一侧相对；第二电子组件，其耦合到第二引线阶梯侧，所述第二电子组件包含：第二电子组件第一侧；以及第二电子组件第二侧，其与所述第二电子组件第一侧相对；以及密封物，其密封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述衬底的部分，其中：所述引线端子从所述密封物的第一侧暴露。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一电子组件第一侧从所述密封物的第二侧暴露。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一引线阶梯侧为第一引线阶梯的顶侧；且所述第二引线阶梯侧为不同于所述第一引线阶梯的第二引线阶梯的底侧。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：第三电子组件，其耦合到第三引线阶梯侧，其中：所述第三电子组件插入在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间；且所述密封物密封所述第三半导体组件。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：每一所述引线包含连续件；且所述引线阶梯平行于彼此延伸。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度中的一些为向下角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯中的一些低于从所述电子组件向外安置的其它所述引线阶梯。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度为向上角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯高于从电子组件向外安置的所述引线阶梯。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线阶梯包含不同长度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线端子从最外部引线阶梯的底侧向下延伸。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：2CN115394739A权利要求书2/4页所述引线包括第一引线；所述第一引线包含：第一引线端子；第一引线阶梯，其耦合到所述第一引线端子且位于第一平面上；第一引线偏移件，其耦合到所述第一引线阶梯；第二引线阶梯，其耦合到所述第一引线偏移件且位于所述第一平面上方的第二平面上；第二引线偏移件，其耦合到所述第二引线阶梯；以及第三引线阶梯，其耦合到所述第二引线偏移件且位于所述第二平面下方的第三平面上；且所述第一电子组件所耦合的所述第一引线阶梯侧为所述第二引线阶梯的顶侧。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：所述引线包括第二引线；所述第二引线包含：第二引线端子；第四引线阶梯，其耦合到所述第二引线端子且位于所述第一平面上；第三引线偏移件，其耦合到所述第四引线阶梯；第五引线阶梯，其耦合到所述第三引线偏移件且位于所述第二平面上；第四引线偏移件，其耦合到所述第五引线阶梯；以及第六引线阶梯，其耦合到所述第四引线偏移件且位于所述第三平面上；且所述第二电子组件所耦合的所述第二引线阶梯侧为所述第六引线阶梯的顶侧。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包含桨叶，所述桨叶具有桨叶顶侧、与所述桨叶顶侧相