一种Mos封装用管壳的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115894047A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211697877.1(22)申请日2022.12.28(71)申请人福建华清电子材料科技有限公司地址362200福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号(72)发明人杨大胜施纯锡冯家伟(74)专利代理机构泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙)35209专利代理师林小彬(51)Int.Cl.C04B35/581(2006.01)C04B35/10(2006.01)C04B35/622(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种Mos封装用管壳的制备方法(57)摘要本发明涉及半导体封装领域，提供一种MOS封端用管壳的制备方法，解决采用现有技术的制备方法获得的MOS封装用管壳底板容易发生开裂的缺陷，包括以下制备步骤：(1)管壳模具的构建；(2)浆料的制备：所述浆料为氧化铝陶瓷浆料或氮化铝陶瓷浆料；(3)注浆：将步骤(2)制得的浆料注入步骤(1)构建好的管壳模具内；(4)烧结成型；(5)脱模。CN115894047ACN115894047A权利要求书1/1页1.一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：(1)管壳模具的构建：所述管壳模具包括模具本体，所述模具本体包括上模和下模，所述下模具有中空底腔体，所述上模包括上模体和间隔设置在上模体上的若干间隔条，其中两个间隔条之间的空腔上设有注浆口，各所述间隔条底部与中空底腔体互通；(2)浆料的制备：所述浆料为氧化铝陶瓷浆料或氮化铝陶瓷浆料；(3)注浆：将步骤(2)制得的浆料通过注浆口注入步骤(1)构建好的管壳模具内；(4)烧结成型；(5)脱模。2.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述中空底腔体的厚度为0.8－1.2mm。3.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述第一隔腔体、第二隔腔体、第三隔腔体的高度为2.4－2.6cm，宽度为5－6mm。4.根据权利要求3所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述第一隔腔体与第二隔腔体的距离为1.8－2.0cm。5.根据权利要求3所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述第二隔腔体与第三隔腔体之间的距离为1.8－2.0cm。6.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述氮化铝陶瓷浆料是经过球磨而得的，氮化铝陶瓷浆料的粘度为21000～22000mPa·s。7.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述氧化铝陶瓷浆料是经过球磨而得，氧化铝陶瓷浆料的粘度为21500～22500mPa·s。8.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：步骤(4)烧结温度为1650－1850℃。9.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述上模包括上模体和间隔设置在上模体上的4根间隔条，从左到右分别为第一间隔条、第二间隔条、第三间隔条及第四间隔条，所述注浆口设置在第二间隔条和第三间隔条之间的腔体内。10.根据权利要求1所述的一种MOS封装用管壳的制备方法，其特征在于：所述管壳模具为耐高温材质。2CN115894047A说明书1/3页一种Mos封装用管壳的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种Mos封装用管壳的制备方法。背景技术[0002]电力半导体器件在正常工作时会伴随大量热量的产生，如果热量未能及时耗散，便会在内部产生积累，使器件温度不断升高，从而对性能和可靠性造成巨大影响。若温度高于半导体器件的最大限制结温，造成器件热损伤，则会导致可靠性降低乃至失效现象。据统计，接近55％的器件失效是由高温造成的，每升高10℃，电子器件的失效率将会增大约10倍。对于管壳级别，封装材料之间存在一定的热导率和热膨胀系数，会造成局部热不匹配性而产生相应的热机械应力，使封装体产生形变。[0003]制造成本更低、功耗更小、速度更快的半导体器件已经成为半导体以及电子产业普遍追求的目标之一。而由于应用范围比较广，MOS管已经成为当今功率器件发展的主流，被广泛应用于开关电路或放大电路。[0004]常见的MOS管封装有插入式封装及表面贴装式，不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都不同，TO－247型号的MOS管是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适用于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。[0005]现有技术的MOS管封装一般陶瓷或工程塑料，MOS管的外