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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106206524A(43)申请公布日2016.12.07(21)申请号201610531649.5(22)申请日2016.07.07(71)申请人昆山华太电子技术有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路188号(72)发明人宋亮彭虎(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224代理人董建林(51)Int.Cl.H01L23/49(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种封装管壳体(57)摘要本发明公开了一种封装管壳体,包括金属法兰,所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环,所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚,所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片,设于缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间,并且与输出翅片之间留有距离,所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。本发明的一对输出翅片之间设置有VBW拓展引脚,该引脚的引入更有利于配合两端的VBW拓展引脚从外匹配电路上实现VBW的进一步拓展,同时省去了管壳内置的电容,降低系统成本。CN106206524ACN106206524A权利要求书1/1页1.一种封装管壳体,其特征在于:包括金属法兰,所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环,所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚,所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片,设于绝缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间,并且与输出翅片之间留有距离,所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。2.根据权利要求所述的一种封装管壳体,其特征在于:所述金属法兰为纯Cu、CuW、CPC或PCM制作而成。3.根据权利要求所述的一种封装管壳体,其特征在于:所述输出翅片和输入翅片的材料均为镀金铜。2CN106206524A说明书1/2页一种封装管壳体[0001]技术领域[0002]本发明涉及一种封装管壳体,具体涉及一种功率半导体器件封装管壳体。背景技术[0003]功率半导体器件封装管壳对整个晶体管的电学和热力学性能影响关系重大。封装管壳为管芯工作提供与外部电路连接的电学通路和散热路径,是保证半导体器件正常工作的重要支撑部分。随着现代通信系统的不断发展,对用于通信电路中的功率放大电路的性能指标也提出了更高的要求。为适应高工作带宽的应用要求,需要在射频电路结构和匹配电路等方面进行优化设计。[0004]通常衡量通信系统中功率放大电路宽带性能的一个指标是VBW(视频带宽、瞬时信号带宽),VBW定义为在使用双音信号测试时,三阶交调上下边带非对称性出现拐点时的双音间隔。从射频功率放大电路的匹配电路设计入手,通过使用集总RLC电路匹配,可以实现对VBW的拓展。因此需要在半导体器件封装管壳的设计中考虑到如何方便进行VBW拓展电路的实现。传统封装管壳为了方便提升VBW设计,在输出端引出两个引脚,在封装管壳内部使用键合线与管芯连接,引脚外部直接引出到电路板上,通过外匹配电路的调整以对功率放大电路的VBW进行拓展。或者在管壳内置匹配电容,实现VBW的拓展,但是成本较高。发明内容[0005]为了解决上述技术问题,本发明提供了一种封装管壳体为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种封装管壳体,包括金属法兰,所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环,所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚,所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片,设于缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间,并且与输出翅片之间留有距离,所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。[0006]所述金属法兰为纯Cu、CuW、CPC或PCM制作而成。[0007]所述输出翅片和输入翅片的材料均为镀金铜。[0008]本发明所达到的有益效果:本发明的一对输出翅片之间设置有VBW拓展引脚,该引脚的引入更有利于配合两端的VBW拓展引脚从外匹配电路上实现VBW的进一步拓展,同时省去了管壳内置的电容,降低系统成本。附图说明[0009]图1为本发明的结构示意图。具体实施方式3CN106206524A说明书2/2页[0010]下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。[0011]如图1所示,一种封装管壳体,包括金属法兰1,金属法兰1为纯Cu、CuW、CPC或PCM制作而成,具有支撑、散热和电气连接的作用,金属法兰1上设置有绝缘陶瓷环2,绝缘陶瓷环2为矩形环,绝缘陶瓷环2具有电绝缘和支撑的作用,绝缘陶瓷环2的两端均设有VBW拓展引脚5,设于绝缘陶瓷环2两端的VBW拓展引脚5与外匹配电路结合实现VBW的拓展功能,缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚5和一对输出翅片4,输出翅片4的材料均为镀金铜,作为半导体器件输出