一种LDMOS器件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910797A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202310120679.7(22)申请日2023.02.16(71)申请人中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司地址312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17(72)发明人张涛陈宗高王旭(74)专利代理机构北京磐华捷成知识产权代理有限公司11851专利代理师李晴(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/08(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称一种LDMOS器件及其制造方法(57)摘要一种LDMOS器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成栅极结构；对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的掺杂离子注入，以在所述栅极结构一侧形成间隔排列的多个第一源极掺杂区；形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底，以在每相邻两个所述第一源极掺杂区之间形成第一接触孔，所述第一接触孔的底部位于所述半导体衬底内部；对所述第一接触孔以一定的倾斜角度进行第二掺杂类型的掺杂离子注入，以形成第二源极掺杂区，所述第二源极掺杂区的面积大于所述第一源极掺杂区的面积。本发明的LDMOS器件的制造方法能够使第二源极掺杂区的面积大于第一源极掺杂区的面积，提高LDMOS器件的性能。CN115910797ACN115910797A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成栅极结构；对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的掺杂离子注入，以在所述栅极结构一侧形成间隔排列的多个第一源极掺杂区；形成覆盖所述半导体衬底和所述栅极结构的层间介电层；刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底，以在每相邻两个所述第一源极掺杂区之间形成第一接触孔，所述第一接触孔的底部位于所述半导体衬底内部；对所述第一接触孔以一定的倾斜角度进行第二掺杂类型的掺杂离子注入，以形成第二源极掺杂区，所述第二源极掺杂区的面积大于所述第一源极掺杂区的面积；在所述第一接触孔中填充导电材料。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行所述第一掺杂类型的掺杂例子注入时，还在所述栅极结构的另一侧形成漏极掺杂区。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述层间介电层之后、形成所述第一接触孔之前，所述方法还包括：在所述层间介电层中形成与所述漏极掺杂区接触的第二接触孔；在所述第二接触孔中填充导电材料。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，相邻两个所述第一源极掺杂区之间的距离小于或等于所述第一源极掺杂区的宽度。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底，以在每相邻两个所述第一源极掺杂区之间形成第一接触孔，包括：在所述层间介电层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层的窗口对应每相邻两个所述第一源极掺杂区之间的位置；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底，以形成所述第一接触孔；在形成所述第一接触孔之后，所述方法还包括：去除所述光刻胶层。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述第一接触孔以一定的倾斜角度进行第二掺杂类型的掺杂离子注入之后，所述方法还包括：执行快速热退火工艺，以使注入到所述半导体衬底中的所述第二掺杂类型的掺杂离子扩散。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二源极掺杂区的面积与所述第一源极掺杂区的面积的比值大于或等于2。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述倾斜角度在30°至60°之间。9.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的所述半导体衬底中的多个第一源极掺杂区和多个第二源极掺杂区，所述第一源极掺杂区和所述第二源极掺杂区交替排列，所述第一源极掺杂区具有第一掺杂类型，所述第二源极掺杂区具有第二掺杂类型，所述第二源极掺杂区的位置低于所述第一源极掺杂区的位置，并且，所述第二源极掺杂区的面积大于所述第一源极掺杂区2CN115910797A权利要求书2/2页的面积；覆盖所述半导体衬底和所述栅极结构的层间介电层；连接所述第二源极掺杂区的第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述层间介电层，所述第一接触孔的底部位于所述半导体衬底内部，所述第一接触孔中填充有导电材料。10.如权利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构另一侧的所述半导体衬底中的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区具有所述第一掺杂类型；连接所述漏极掺杂区的第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述层间介电层，所述第二接