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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881785A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111149258.4(22)申请日2021.09.29(71)申请人芯恩(青岛)集成电路有限公司地址266500山东省青岛市黄岛区红石崖街道山王河路1088号(72)发明人奉竹青江兴川(74)专利代理机构北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)11479专利代理师高园园(51)Int.Cl.H01L29/40(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称一种LDMOS器件及其制备方法(57)摘要本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,所述LDMOS器件包括半导体本体、栅极结构、第一场板、金属硅化物阻挡层、第二场板、层间介质层以及第三场板,所述第一场板、第二场板、第三场板的底面至半导体本体的距离依次增加,即场板下的介质层厚度从栅极到漏区依次增加,从而能够使电场的分布更加均匀,提高LDMOS器件的性能;另外,本发明的LDMOS器件的制备方法利用现有BCD工艺中介质层的不同厚度,在不同厚度的介质层上制备出呈阶梯状分布的场板,与现有的制备方法相比,没有增加任何的附加工艺步骤,节省了制造成本。CN115881785ACN115881785A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件,其特征在于,包括:半导体本体;栅极结构,位于所述半导体本体的表面,包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层表面的栅极;第一场板,位于所述栅极氧化层表面,且与所述栅极在第一方向上并列排布;金属硅化物阻挡层,位于所述栅极氧化层表面并覆盖部分所述第一场板;第二场板,位于所述金属硅化物阻挡层表面;层间介质层,位于所述半导体本体的表面并覆盖所述栅极结构、第一场板、第二场板及金属硅化物阻挡层;第三场板,位于所述层间介质层的表面。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件,其特征在于,所述半导体本体包括衬底,所述衬底中设置有相互邻接的体区和漂移区;所述体区内设置由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区组成的源极;所述漂移区内设置有具有第二导电类型的漏区。3.根据权利要求2所述的LDMOS器件,其特征在于,层间介质层表面还设置有源极金属层和漏区金属层,其中,所述源极金属层位于所述源极的上方,所述漏区金属层位于所述漏区的上方,且所述第三场板位于所述源极金属层与所述漏区金属层之间。4.根据权利要求3所述的LDMOS器件,其特征在于,所述源极金属层还延伸至所述第二场板的上方与所述第二场板部分重叠,且自所述源极金属层所在一侧至所述漏区金属层所在一侧,二者重叠部分的面积逐步递减。5.根据权利要求3所述的LDMOS器件,其特征在于,所述层间介质层中还形成有接触孔,且所述源极金属层与所述源极通过所述接触孔相连,所述漏区金属层与所述漏区通过所述接触孔相连。6.根据权利要求1所述的LDMOS器件,其特征在于,所述栅极与所述第一场板的两侧还形成有侧墙。7.根据权利要求1所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第一场板由多晶硅材料制成。8.根据权利要求4所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二场板包括第一部分,以及位于所述第一部分表面的第二部分,所述第一部分由绝缘材料制成。9.根据权利要求8所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二部分表面还形成有接触孔,所述接触孔连接所述第二部分与所述源极金属层。10.根据权利要求8或9所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二部分由金属材料制成。11.根据权利要求8或9所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二部分由多晶硅材料制成。12.根据权利要求3所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二场板为接触孔场板,且所述第二场板远离所述金属硅化物阻挡层的一端暴露于所述源极金属层与所述第三场板之间。13.根据权利要求4所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第二场板为接触孔场板,连接所述金属硅化物阻挡层与所述源极金属层。14.根据权利要求1所述的LDMOS器件,其特征在于,所述第三场板由金属材料制成。15.一种LDMOS器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:2CN115881785A权利要求书2/2页提供一半导体本体;在所述半导体本体的表面沉积形成栅极氧化层,并在所述栅极氧化层表面形成第一场板;在所述栅极氧化层的表面以及所述第一场板的部分表面形成金属硅化物阻挡层,在所述金属硅化物阻挡层的表面形成第二场板;在所述半导体本体的表面沉积形成层间介质层,并在所述层间介质层中形成接触孔;在所述层间介质层表面形成源极金属层、第三场板以及漏区金属层。16.一种LDMOS器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一半导体本体;在所述半导体本体的表面沉