一种LDMOS器件及其制备方法.pdf
书生****12
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一种LDMOS器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,所述LDMOS器件包括半导体本体、栅极结构、第一场板、金属硅化物阻挡层、第二场板、层间介质层以及第三场板,所述第一场板、第二场板、第三场板的底面至半导体本体的距离依次增加,即场板下的介质层厚度从栅极到漏区依次增加,从而能够使电场的分布更加均匀,提高LDMOS器件的性能;另外,本发明的LDMOS器件的制备方法利用现有BCD工艺中介质层的不同厚度,在不同厚度的介质层上制备出呈阶梯状分布的场板,与现有的制备方法相比,没有增加任何的附加工艺步骤,节省了制造成本。
LDMOS器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,其中器件包括:衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的第一侧墙;以及位于其中一侧的所述第一侧墙侧的第二侧墙。本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧引入第二侧墙,使得第一侧墙和第二侧墙构成双侧墙结构,完全兼容现有的CMOS工艺,使低压LDMOS器件更容易和CMOS器件整合,降低了制造成本,提高了LDMOS器件的可靠性。进一步的,本申请引入包含第一氮化硅层的第二侧墙,可以起到捕获电荷的作用,从而可以增加对栅氧的保护,减少了制程中PID对栅氧的损伤,使得器件
高压LDMOS器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法,包括:在衬底上形成第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层;采用热氧化炉管工艺在第二沟槽中的有源区侧面和底部形成隔离层;在第二沟槽中填充多晶硅内芯层以得到深沟槽隔离结构。本发明还提供一种高压LDMOS器件。本申请利用第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层作为掩膜,采用热氧化炉管工艺在第二沟槽中有源区侧面和底部形成晶体质量高的隔离层,这样可以避免有源区被高温误氧化,提高了器件的可靠性和良率。进一步的,本申请在第二沟槽中先形成隔离层,再将第二沟槽
高压LDMOS器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法,包括:在衬底的第二沟槽中采用热氧化炉管工艺形成隔离层;刻蚀去除部分厚度的衬底和所述隔离层的顶端位置以形成第三沟槽,同时以第三沟槽和隔离层为隔离界限定义出衬底中的有源区区域;最后在所述隔离层顶端的第三沟槽中形成介质层。本发明还提供一种高压LDMOS器件。本申请通过调整定义有源区、形成浅沟槽隔离结构和形成深沟槽隔离层的顺序,先在深沟槽(第二沟槽)中形成隔离层,再定义衬底中的有源区区域,最后形成介质层(浅沟槽隔离结构),可以避免在高温热氧化形成所述隔离层时,与浅沟槽隔
一种LDMOS器件及其制造方法.pdf
一种LDMOS器件及其制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成栅极结构;对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的掺杂离子注入,以在所述栅极结构一侧形成间隔排列的多个第一源极掺杂区;形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层;刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底,以在每相邻两个所述第一源极掺杂区之间形成第一接触孔,所述第一接触孔的底部位于所述半导体衬底内部;对所述第一接触孔以一定的倾斜角度进行第二掺杂类型的掺杂离子注入,以形成第二源极掺杂区,所述第二源极掺杂区的面积大于所述第一源极掺杂区的面积。本发