一种LDMOS器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110323138A(43)申请公布日2019.10.11(21)申请号201910536451.X(22)申请日2019.06.20(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人房子荃(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L29/40(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种LDMOS器件的制造方法(57)摘要本发明提供一种LDMOS器件的制造方法，在P型衬底中形成N型埋层和P型外延层；在硅表面形成场氧区，之后形成N阱和P阱，场氧区位于N阱中表面区域；在N阱和P阱间的硅表面上形成栅极，栅极与P阱纵向部分交叠，栅极与N阱纵向间留有间隙；在间隙形成位于P型衬底表面处的N型LDD区域；在P阱和N阱的表面区域形成N型重掺杂区，并在P阱表面区域形成P型重掺杂区；在栅极和场氧区上形成接触孔，将接触孔连接于金属线。本发明不需要额外增加掩膜，利用现有工艺流程，击穿电压BV能达到20V以上；场氧区STI与多晶硅poly间留一定距离，使NLDD能自对准注入；漂移区由NW和NLDD构成；STI上打接触孔起到场板效果，简化了工艺流程，提高了产能。CN110323138ACN110323138A权利要求书1/1页1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、在P型衬底中自下而上依次形成N型埋层和P型外延层；步骤二、在P型衬底的硅表面形成场氧区；步骤三、所述P型衬底上分别形成N阱和P阱，所述场氧区位于所述N阱中的表面区域；步骤四、在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上形成栅极，所述栅极与所述P阱纵向部分交叠，所述栅极与所述N阱纵向之间留有间隙；步骤五、在所述栅极与所述N阱之间的间隙形成位于所述P型衬底表面处的N型LDD区域；步骤六、在所述P阱和N阱的表面区域形成N型重掺杂区，并且在所述P阱表面区域形成P型重掺杂区；步骤七、在所述栅极和所述场氧区上形成接触孔，将所述接触孔连接于金属线。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述P型衬底中采用离子注入的方法形成N型埋层。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述P型外延层生长于所述P型衬底上。4.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤二中在所述P型衬底的硅表面形成场氧区的方法为：先在所述硅表面淀积氧化层，之后刻蚀该氧化层形成所述场氧区。5.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三在所述P型衬底上分别形成N阱和P阱的方法为：采用光刻分别打开注入区域，分别注入N型杂质离子和P型杂质离子。6.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上形成栅极的方法为：先在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上淀积一层栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的多晶硅层，之后刻蚀该多晶硅层和栅氧化层，形成所述栅极。7.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤五中在所述栅极与所述N阱之间的间隙形成位于所述P型衬底表面处的N型LDD区域的方法为：采用选择性的进行常规的斜角LDD离子注入。8.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述N型重掺杂区的方法为：采用选择性的进行常规的源漏离子注入。9.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述P型重掺杂区的方法为：采用选择性的进行常规的源漏离子注入。2CN110323138A说明书1/5页一种LDMOS器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种LDMOS器件的制造方法。背景技术[0002]高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求。LDMOS器件由于很容易于CMOS工艺兼容而被广泛采用。通常击穿电压BV要求小于14V的LDMOS，漂移区可以共用N阱NW；但由于N阱NW的注入剂量较浓难以耗尽，BV要求大于14V的器件需要额外增加一层掩模单独作为LDMOS的漂移区。[0003]图1为现有技术中的一种LDMOS结构，多晶硅poly场板跨在浅沟道隔离区STI上，漂移区用单独掩膜mask定义。其中，1-NBL为n型埋层，2-Pepi为P型外延层，3-STI为场氧区，4-Ndrift为N型漂移区，5-PW为P阱，6-GateOxi