半导体器件、其制备方法及半导体存储装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942740A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202110934967.7(22)申请日2021.08.16(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人梅晓波(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291专利代理师张春玲(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)权利要求书3页说明书10页附图12页(54)发明名称半导体器件、其制备方法及半导体存储装置(57)摘要本公开实施例公开了半导体器件、其制备方法及半导体存储装置，包括：半导体衬底，多个字线沟槽，字线结构；字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线沟槽在半导体衬底的正投影位于浅沟道隔离区位于半导体衬底的正投影内；第二字线沟槽在半导体衬底的正投影位于有源区在半导体衬底的正投影内；字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；第一字线结构部形成于第一字线沟槽中，第二字线结构部形成于第二字线沟槽中；其中，一字线结构部具有避让区域，避让区域的顶面与第二字线结构部的顶面齐平，并且避让区域中具有绝缘物质。CN115942740ACN115942740A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，包括：浅沟道隔离区，以及由所述浅沟道隔离区界定出的若干个间隔排布的有源区；多个字线沟槽，形成于所述半导体衬底中，并且所述字线沟槽与相应的有源区相交设置；其中，所述字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；所述第一字线沟槽在所述半导体衬底的正投影位于所述浅沟道隔离区位于所述半导体衬底的正投影内；所述第二字线沟槽在所述半导体衬底的正投影位于所述有源区在所述半导体衬底的正投影内；字线结构，埋置于所述字线沟槽中；其中，所述字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；所述第一字线结构部形成于所述第一字线沟槽中，所述第二字线结构部形成于所述第二字线沟槽中；其中，所述第一字线结构部具有避让区域，所述避让区域的顶面与所述第二字线结构部的顶面齐平，并且所述避让区域中具有绝缘物质。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二字线结构部为实心结构；在垂直于所述字线结构的延伸方向上，所述第一字线结构部的截面具有凹陷区域；所述避让区域包括所述凹陷区域。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述凹陷区域的顶面与所述第二字线结构部的顶面齐平；并且，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述凹陷区域的底面高于所述第二字线结构部的底面，所述第一字线结构部的底面低于所述第二字线结构部的底面。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述字线结构包括：栅极氧化层与字线；其中，所述栅极氧化层覆盖于所述字线沟槽的侧壁；且所述栅极氧化层位于所述字线和所述字线沟槽之间；所述凹陷区域位于所述第一字线结构部中的字线内。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述字线包括第一导电膜层和第二导电膜层；其中，所述第一导电膜层设置于所述字线沟槽的侧壁，且所述第一导电膜层位于所述第二导电膜层与所述栅极氧化层之间；所述凹陷区域位于所述第一字线结构部中的第二导电膜层内；或者，所述第一字线结构部中的第二导电膜层为实心结构；且所述第一字线结构部中，所述第二导电膜层的顶面低于所述第一导电膜层的顶面，以及所述第二导电膜层作为所述凹陷区域的底部，设置于所述字线沟槽的侧壁的所述第一导电膜层作为所述凹陷区域的侧壁。6.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述字线结构包括：栅极氧化层与字线；其中，所述栅极氧化层覆盖于所述字线沟槽的侧壁；且所述栅极氧化层位于所述字线和所述字线沟槽之间；所述第一字线结构部中的字线为实心结构；所述第一字线结构部中，所述字线的顶面低于所述栅极氧化层的顶面；所述第一字线结构部中，所述字线作为所述凹陷区域的底部，且设置于所述字线沟槽的侧壁的栅极氧化层作为所述凹陷区域的侧壁。7.如权利要求4或6所述的半导体器件，其特征在于，与所述第二字线结构部接触的栅极氧化层与所述半导体衬底直接接触；2CN115942740A权利要求书2/3页与所述第一字线结构部接触的栅极氧化层与所述半导体衬底之间具有浅沟道隔离层。8.如权利要求1‑6任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘物质包括空气和无机绝缘材料中的至少一种。9.如权利要求1‑6任一项所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述半导体衬底所在平面的方向上，所述第一字线沟槽的深度大于所述第二字线沟槽的深度。10.一种如权利要求1‑9任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成