半导体装置、其制造方法及存储装置.pdf
Ja****44
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半导体装置、其制造方法及存储装置.pdf
本发明提供具有高的可靠性的半导体装置、其制造方法及存储装置。实施方式的半导体装置具备包括存储单元的第1区域和包括周边电路的第2区域。第2区域具备:扩散区域,设置于半导体基板的表面;栅绝缘膜,设置于扩散区域的表面之上;栅电极,设置于栅绝缘膜之上;绝缘体层,设置于扩散区域的表面之上,包围栅电极并且覆盖栅电极的侧面的至少一部分;及元件分离体,埋入于半导体基板,包围扩散区域。元件分离体具有:第1部分,比表面向下方凹陷;及第2部分,具有设置于扩散区域的表面与第1部分之间且比第1部分向上方突出的凸部。
半导体装置、其制造方法及存储装置.pdf
本发明提供具有高的可靠性的半导体装置、其制造方法及存储装置。实施方式的半导体装置具备包括存储单元的第1区域和包括周边电路的第2区域。第2区域具备:扩散区域,设置于半导体基板的表面;栅绝缘膜,设置于扩散区域的表面之上;栅电极,设置于栅绝缘膜之上;绝缘体层,设置于扩散区域的表面之上,包围栅电极并且覆盖栅电极的侧面的至少一部分;及元件分离体,埋入于半导体基板,包围扩散区域。元件分离体具有:第1部分,比表面向下方凹陷;及第2部分,具有设置于扩散区域的表面与第1部分之间且比第1部分向上方突出的凸部。
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法.pdf
本发明提供半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法,能够实现电气特性的提高。实施方式的半导体存储装置具有第1基板、第2基板、第1层叠体以及第2层叠体。上述第1层叠体设置在上述第1基板与上述第2基板之间,包括第1布线、与上述第1布线连接的第1焊盘、以及第1绝缘体。上述第2层叠体设置在上述第1层叠体与上述第2基板之间,包括第2布线、与上述第2布线连接的第2焊盘、以及第2绝缘体。上述第1焊盘包括分别与上述第1布线连接的多个第1电极部。在上述多个第1电极部之间设置有上述第1绝缘体。上述多个第1电极部与上述第2焊
半导体装置和其制造方法.pdf
本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、经掺杂III‑V族半导体层和栅极层。所述第一氮化物半导体层具有第一表面。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层的第一表面上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述经掺杂III‑V族半导体层处于所述第二氮化物半导体层上方。所述经掺杂III‑V族半导体层包含具有不同厚度的第一部分和第二部分。所述栅极层安置于所述经掺杂III‑V族半导体层的所述第一部分和所述第二部分上。
半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法.pdf
本发明实施方式的半导体装置具备:第一电极;第二电极;第一氧化物半导体层,其设置于第一电极与第二电极之间,包含In、Zn及第一金属元素,第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素;第二氧化物半导体层,其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间,包含In、Zn及第一金属元素;第三氧化物半导体层,其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间,包含In、Zn及第二金属元素,第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素;栅极电极,其与第三