阵列基板以及显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111415946A(43)申请公布日2020.07.14(21)申请号202010228311.9(22)申请日2020.03.27(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人杨薇薇(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人杨艇要(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称阵列基板以及显示面板(57)摘要本发明提供一种阵列基板以及显示面板，该阵列基板包括衬底、第一栅极层、栅极绝缘层、第二栅极层，其中：所述第一栅极层图案化形成扫描信号线和第一电极板，所述第二栅极图案化形成复位走线和第二电极板，所述栅极绝缘层由一层或至少两层的无机层沉积而成，所述栅极层在所述第一电极板的对应位置设置有凹槽，所述第二电极板设置于所述凹槽中；由于无机层干蚀刻选择比较大，所述栅极绝缘层能在覆盖第一栅极层时实现较好的平坦化，从而缓解第二栅极层在刻蚀时在第一栅极层的边缘存在金属残留的问题，同时由于栅极绝缘层设置有凹槽，所述第二电极板设置在凹槽中，可以保证第一栅极和第二栅极间的电容不变。CN111415946ACN111415946A权利要求书1/1页1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一栅极层，设置于衬底之上，图案化形成扫描信号线和第一电极板；栅极绝缘层，设置于所述第一栅极层和所述衬底之上，且覆盖所述第一栅极层；第二栅极层，设置于所述栅极绝缘层之上，所述第二栅极层图案化形成复位走线和第二电极板；其中，所述栅极绝缘层在所述第一电极板的对应位置设置有凹槽，所述第二电极板设置于所述凹槽内。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层由至少两层无机层沉积而成。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层由两层无机层构成，所述两层栅极绝缘层为第一无机层和第二无机层，所述第二无机层设置在第一无机层远离衬底的一侧。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述第二无机层，且部分设置于第一无机层内。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽贯穿第二无机层至第一无机层表面。6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽设置在第二无机层内且未贯穿第二无机层。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在非凹槽区内，所述栅极绝缘层的厚度为2000至5000埃米。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在凹槽区内，所述栅极绝缘层的厚度为500至3000埃米。9.如权利要求1所述的列阵基板，其特征在于，所述凹槽的面积大于所述第一电极板的面积。10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的列阵基板。2CN111415946A说明书1/7页阵列基板以及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及显示面板。背景技术[0002]当前阵列基板的第一栅极层在图案化处理后，会形成较陡的边缘，致使栅极绝缘层在覆盖第一栅极层时无法实现平坦化，从而导致第二栅极层刻蚀时，在第一栅极层的边缘存在金属残留；但如果加大栅极绝缘层厚度使其实现平坦化，又会导致第一栅极层和第二栅极层之间电容减少。[0003]即当前阵列基板存在问题，需要改进。发明内容[0004]本发明提供一种阵列基板以及显示面板，以缓解当前阵列基板存在金属蚀刻后栅极间金属残留和栅极间电容减少的问题。[0005]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：[0006]本发明提供一种阵列基板，其包括：[0007]衬底；[0008]第一栅极层，设置于衬底之上，图案化形成扫描信号线和第一电极板；[0009]栅极绝缘层，设置于所述第一栅极层和所述衬底之上，且覆盖所述第一栅极层；[0010]第二栅极层，设置于栅极绝缘层之上，所述第二栅极层图案化形成复位走线和第二电极板；[0011]其中，所述栅极绝缘层在所述第一电极板的对应位置设置有凹槽，所述第二电极板设置于所述凹槽内。[0012]在本发明实施例提供的阵列基板中，所述栅极绝缘层由至少两层无机层沉积而成。[0013]在本发明实施例提供的阵列基板中，所述栅极绝缘层由两层无机层构成，所述两层栅极绝缘层为第一无机层和第二无机层，所述第二无机层设置在第一无机层远离衬底的一侧。[0014]在本发明实施例提供的阵列基板中，所述凹槽贯穿所述第二无机层，且部分设置于第一无机层内。[0015]在本发明实施例提供的阵列基板中，所述凹槽贯穿第二无机层至第一无机层表面。[0016]在本发明实施例提供的阵列基板中，所述凹槽设