一种金属掩膜版及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108149192A(43)申请公布日2018.06.12(21)申请号201810132122.4(22)申请日2018.02.08(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司(72)发明人张健黄俊杰林治明李冬伟王琦(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图8页(54)发明名称一种金属掩膜版及其制造方法(57)摘要本发明公开一种金属掩膜版及其制造方法，涉及金属掩膜技术领域，为解决因金属掩膜容易发生褶皱而造成在基板蒸镀形成的膜层的良率降低的问题。该金属掩膜版包括：框架；多个支撑条，其中部分支撑条沿第一方向跨设于框架的中空区，其余部分支撑条沿第二方向跨设于框架的中空区，以构成支撑网；支撑条的两端分别与框架连接；多个金属掩膜，金属掩膜位于支撑条上方，金属掩膜沿第一方向跨设于框架的中空区，金属掩膜沿第一方向的两侧分别与框架连接，多个金属掩膜沿着第二方向依次排列；其中，沿第一方向设置的支撑条上或/和沿第二方向设置的支撑条上设置有材质去除部，使支撑网的弹性形变大于或等于金属掩膜的弹性形变。CN108149192ACN108149192A权利要求书1/2页1.一种金属掩膜版，其特征在于，包括：框架，所述框架的中部为中空区；呈板条状的多个支撑条，其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区，其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区，以构成支撑网；所述支撑条的两端分别与所述框架连接；所述第一方向与所述第二方向交叉；多个金属掩膜，所述金属掩膜位于所述支撑条上方，所述金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区，所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述框架连接，多个所述金属掩膜沿着所述第二方向依次排列；沿所述第一方向设置的所述支撑条与所述金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应，沿所述第二方向设置的所述支撑条与相邻的两个所述金属掩膜之间的区域对应；其中，沿所述第一方向设置的所述支撑条上或/和沿所述第二方向设置的所述支撑条上设置有材质去除部，使所述支撑网的弹性形变大于或等于所述金属掩膜的弹性形变。2.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，所述材质去除部为贯穿所述支撑条的厚度的通孔，所述通孔与所述金属掩膜上的贯通孔不重叠。3.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，所述材质去除部为不贯穿所述支撑条的厚度的半刻蚀结构，所述半刻蚀结构位于所述支撑条背向所述金属掩膜的一侧。4.根据权利要求3所述的金属掩膜版，其特征在于，所述支撑条上包括至少一个呈凹槽结构的半刻蚀结构，，所述凹槽结构沿所述支撑条的长度方向延伸，所述凹槽结构的宽度为所述支撑条的宽度的10％～90％；所述支撑条上包括多个呈凹槽结构的半刻蚀结构时，相邻的两个所述凹槽结构之间的槽楞的宽度为所述凹槽结构的宽度的10％～150％；或/和，所述支撑条上包括至少一个呈凹坑结构的半刻蚀结构，所述凹坑结构的直径为所述支撑条的宽度的0.05％～10％；或/和，所述支撑条上包括至少一个由相互交叉的多个凹槽构成的呈网状结构的半刻蚀结构，所述网状结构的网格为凸起。5.根据权利要求3所述的金属掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构在所述支撑条的厚度方向上的深度小于或等于所述支撑条的厚度的二分之一。6.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，沿所述支撑条的长度方向，所述支撑条包括两个材质保留区和位于两个所述材质保留区之间的材质去除区，所述材质去除部位于所述材质去除区内，所述材质保留区沿所述支撑条的长度方向的长度大于或等于所述支撑条的宽度的5％。7.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，所述支撑条的厚度为20μm～200μm；所述支撑条的宽度为2mm～30mm。8.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，所述支撑条的材料的弹性系数大于或等于因瓦合金的弹性系数。9.根据权利要求1所述的金属掩膜版，其特征在于，所述材料去除部的总面积为所述支撑条的面积的50％～90％。2CN108149192A权利要求书2/2页10.一种如权利要求1～9任一所述的金属掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：提供中部为中空区的框架；提供多个支撑条，并采用半刻蚀工艺或/和全刻蚀工艺在至少部分所述支撑条上形成材质去除部；将其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区，将其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区，所述支撑条的两端分别与所述框架连接；所述第一方向与所述第二方向交叉；将金属掩膜沿所述第