一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102944975A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102944975A(43)申请公布日2013.02.27(21)申请号201210418490.8(22)申请日2012.10.26(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司(72)发明人赵海廷孙亮孟春霞(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健(51)Int.Cl.G03F7/00(2006.01)G03F7/42(2006.01)H01L21/77(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书55页页附图附图33页(54)发明名称一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法(57)摘要本发明实施例提供一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。本发明的掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。CN1029475ACN102944975A权利要求书1/1页1.一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其特征在于，所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透射区域设置有掩膜材料层。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。4.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂覆光刻胶；使用权利要求1-4任意一项所述的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；采用刻蚀工艺，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。6.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，所述第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括所述部分透射区域和全透射区域，所述部分透射区域对应于扇出导线，所述全透射区域对应于扇出导线之间的间隔。7.根据权利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层包括：采用沉积工艺，在所述基板的第二图案区沉积所述掩膜材料层；采用涂覆工艺，在所述掩膜材料层上涂覆光刻胶；采用光刻工艺，显影后去除所述第二图案区的全透射区域的所述光刻胶；采用刻蚀工艺，刻蚀对应于所述第二图案区的全透射区域的所述掩膜材料层；通过去胶工艺去除剩余的光刻胶。8.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。9.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。2CN102944975A说明书1/5页一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法技术领域[0001]本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法。背景技术[0002]随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。[0003]在整个TFT-LCD的阵列基板的布局中，像素区的数据线走线较为稀疏，扇出导线区域的扇出导线走线十分稠密。现有的制作扇出导线的工艺中，在刻蚀源漏极层时，是对对应于扇出导线之间的间隔的光刻胶进行全曝光，而对对应于扇出导线的光刻胶不进行曝光，这样在显影时，扇出导线区域显影掉的光刻胶远远少于像素