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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108914058A(43)申请公布日2018.11.30(21)申请号201810949101.1(22)申请日2018.08.20(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430070湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人杜骁(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种精密金属掩膜版、蒸镀装置和蒸镀制程(57)摘要本发明提供了一种精密金属掩膜版,包括支撑框架以及设置在支撑框架上的金属支撑网和至少一个精密金属掩膜条,精密金属掩膜条位于金属支撑网上方,其中,金属支撑网为一体成型结构,金属支撑网上设置有至少一个开口区域,精密金属掩膜条上设置有图形区域,图形区域位于至少一个开口区域的上方且覆盖至少一个开口区域,蒸镀制程中,蒸镀材料依次通过开口区域和图形区域在待蒸镀基板上形成预设蒸镀图案。本发明的精密金属掩膜版中使用一体成型的金属支撑网,可以支撑精密金属掩膜条并阻挡蒸镀材料从相邻精密金属掩膜条之间的间隔处通过;开口区域的形状决定了预设蒸镀图案的形状,因此,通过设置开口区域可以使得精密金属掩膜版用于异形屏的蒸镀中。CN108914058ACN108914058A权利要求书1/1页1.一种精密金属掩膜版,用于蒸镀制程,其特征在于,包括支撑框架以及设置在所述支撑框架上的金属支撑网和至少一个精密金属掩膜条,所述精密金属掩膜条位于所述金属支撑网上方,其中,所述金属支撑网为一体成型结构,所述金属支撑网上设置有至少一个开口区域,所述精密金属掩膜条上设置有图形区域,所述图形区域位于至少一个所述开口区域的上方且覆盖至少一个所述开口区域,所述蒸镀制程中,蒸镀材料依次通过所述开口区域和所述图形区域在待蒸镀基板上形成预设蒸镀图案。2.如权利要求1所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述金属支撑网的外周设置有多个凸起的连接条,所述支撑框架上设置有与多个所述凸起的连接条匹配的多个凹槽,所述凸起的连接条设置在所述凹槽内。3.如权利要求1所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述精密金属掩膜条上还包括缓冲区,所述缓冲区包括第一子缓冲区和第二子缓冲区,所述第一子缓冲区和所述第二子缓冲区对称设置于所述图形区域的两侧,所述缓冲区为镂空结构或半刻蚀结构。4.如权利要求1所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述图形区域是由多个通孔间隔构成的网状结构。5.如权利要求1所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述开口区域的内周壁上设置有凸环,所述凸环远离所述开口区域的内周壁一端为尖头部。6.如权利要求5所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述凸环的厚度为为4.5μm-90μm,所述凸环的环宽为0.05mm-1mm,所述尖头部的尖头角度为30°-90°。7.如权利要求1所述的精密金属掩膜版,其特征在于,所述金属支撑网的厚度为15μm-100μm,所述精密金属掩膜条的厚度为8μm-100μm。8.一种蒸镀装置,其特征在于,包括蒸镀源和精密金属掩膜版,所述蒸镀源的开口与所述精密金属掩膜版匹配设置,其中,所述精密金属掩膜版包括权利要求1-7任一项所述的精密金属掩膜版。9.一种蒸镀制程,其特征在于,包括:将待蒸镀基板置于如权利要求8所述的蒸镀装置中,使所述精密金属掩膜版中的所述精密金属掩膜条与所述待蒸镀基板贴合在一起;开启所述蒸镀源,所述蒸镀源中的蒸镀材料依次通过所述开口区域和所述图形区域在所述待蒸镀基板上形成预设蒸镀图案。10.如权利要求9所述的蒸镀制程,其特征在于,所述开口区域在所述待蒸镀基板上的正投影与所述预设蒸镀图案的中心重合,且向外延伸50nm-300nm。2CN108914058A说明书1/6页一种精密金属掩膜版、蒸镀装置和蒸镀制程技术领域[0001]本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种精密金属掩膜版、蒸镀装置和蒸镀制程。背景技术[0002]近年来,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,在中小尺寸显示领域更有取代液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)的趋势,现阶段中小尺寸的OLED面板大多依赖蒸镀制程,其中在蒸镀制程中用于图形定义的治具为金属掩模版,可分为精密金属掩膜板(FineMetalMask,FMM)和通用金属掩模版(CommonMetalMask,CMM)。FMM用于RGB像素定义,主要用于R、G、B发光层和掺杂材料蒸镀,CMM主要作为共